PMOS竟然导通了？！

guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-2 16:27
这个图有防倒灌功能吗？BAT1供电时，BAT2有没有电压？

$ p7 @: U9 M8 u" c! S有呀，给备用电池灌点电不少很正常吗，但备用往往电压比主电池高，所以不用担心灌点问题。
0 P# {: y0 X4 ~& _6 q' L

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 15:33
& P  ~4 g, y$ j/ v2 h. P5 L" n这边的疑惑是M1为啥能导通了，（看现象是），（对M3接法，故意让它体二极管上电导通的）

是不是真的导通了，光看电压没有，最好串给电流表，看下是不是持续有电流，还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。

Scisci

$ N1 W( M- E" d

guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22
2 _: B5 N& v% W# u; ~6 F1 T9 z6 B9 ?2 m7 T* ?你从那里看到M1是导通的？如果M1导通了那么M3还能导通吗？你不知道MOS有寄生电容吗？来网上给你扒一个双 ...

1 I$ n, |, j0 P3 U' K$ t& c+ n好哒，可是，M1如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的电压啊，想不明白，另外如果M1是导通的话，M3失去作用了，始终通过体二极管导通，会有问题（发热很厉害），不知小弟分析的对不对，我10楼有再贴一个仿真验证。

Scisci

bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:22
看M3的D和S方向!!

% u1 n2 I! }2 z& a故意对调的，另外这边疑问是M1不是M3，M3故意让电压过来的

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
9 O7 S& P2 A' o# d1 x好哒，可是，MI如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的 ...

的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？
: L* Q! z( c, h5 c# e

Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:48
的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有 ...

9 }9 r5 V# J9 B, T! L8 w1 R9 \这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。
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guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 17:03
这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该 ...

那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。
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Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:23
那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上 ...

) [6 y8 g2 Y: m: T# Z是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。

Scisci

貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。。。
5 O" i6 H# L1 u3 ]

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
# M4 v- ?, z) m貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

0 r9 V- n0 b2 O; G( d& ]不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电源一直放电。

IO357

R1是330K   2.249V，   加了R3 330R 2.99V，  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K， 这个值是哪来的？

huo_xing

Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
- H- |% e/ y' Q( `. \貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。

Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55
不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V ...

6 j; k4 ]0 K: D& H9 C$ y$ d& [被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。

Scisci

huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20
4 c* _4 b9 @2 x3 G$ |2 k' M本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
5 v" u5 \! C" y, x当然，如果你要求不 ...

, y' ~3 v$ L( @" V- l/ D7 u感谢答疑
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