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楼主: Scisci
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PMOS竟然导通了?!

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    2025-5-29 15:01
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    [LV.7]常住居民III

    16#
    发表于 2025-1-2 16:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-2 16:27
    # M' k% _/ M; g& b# d这个图有防倒灌功能吗?BAT1供电时,BAT2有没有电压?
    4 X. s1 L  `2 \* y3 v) ~. B
    有呀,给备用电池灌点电不少很正常吗,但备用往往电压比主电池高,所以不用担心灌点问题。# ^, c/ \: {( U9 X& u

    点评

    好吧。你高兴就好  发表于 2025-1-2 16:31
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    [LV.7]常住居民III

    17#
    发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 15:33
    & b# i4 N# c- m  n* ^这边的疑惑是M1为啥能导通了,(看现象是),(对M3接法,故意让它体二极管上电导通的)

    ) L6 j4 V9 p" Z" K% @6 K是不是真的导通了,光看电压没有,最好串给电流表,看下是不是持续有电流,还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。
    # ^* X3 S/ R# [4 R4 |6 s
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    2025-1-16 15:21
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    18#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    本帖最后由 Scisci 于 2025-1-2 16:49 编辑 ) I4 q+ w" p( }  s- H; }
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22) A* K8 q/ g4 x: t; q. z
    你从那里看到M1是导通的?如果M1导通了那么M3还能导通吗?你不知道MOS有寄生电容吗?来网上给你扒一个双 ...

    , G4 v: J: L8 g好哒,可是,M1如果不是导通的,那么小弟的仿真图里,为什么M1(注意不是M3)的漏极(D极)为啥有2.9V的电压啊,想不明白,另外如果M1是导通的话,M3失去作用了,始终通过体二极管导通,会有问题(发热很厉害),不知小弟分析的对不对,我10楼有再贴一个仿真验证。. D5 C2 F3 F* i1 i( J! v) p

    点评

    的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗?  详情 回复 发表于 2025-1-2 16:48
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    19#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:38 | 只看该作者
    bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:22% T- q' S5 y( I$ n/ y
    看M3的D和S方向!!

      A- h, S; F; W$ d" j6 @9 A9 K' ^4 ?故意对调的,另外这边疑问是M1不是M3,M3故意让电压过来的
    . W! V- Q$ r) ~
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    20#
    发表于 2025-1-2 16:48 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
    ' k2 b9 j4 b  z' P好哒,可是,MI如果不是导通的,那么小弟的仿真图里,为什么M1(注意不是M3)的漏极(D极)为啥有2.9V的 ...

    , l* w6 L9 n) L$ x7 t. Q; s4 s4 e的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗?7 L7 B; m: S/ k% ?" O7 ?

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    这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该是逻辑正常,为啥啊,没想通。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:03
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    21#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:03 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:48* b7 @( r4 Y4 Y2 B* E
    的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有 ...

    1 q# t8 x" g8 L& \9 K这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该是逻辑正常,为啥啊,没想通。
    6 P3 ~1 {- Z4 r" }( {# q3 L1 {' _

    带载测试.png (32.53 KB, 下载次数: 0)

    带300R负载测试

    带300R负载测试

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    那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通,所以才有之前的事情,而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:23
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    22#
    发表于 2025-1-2 17:23 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:03
    ' [/ x0 P9 u: m  U2 h% i这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该 ...

    & ?7 ]- c1 }1 c那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通,所以才有之前的事情,而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。9 K4 Y$ v/ h. H7 {1 c3 g

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    是不是一定这样导致的,暂时不知道,不过是听懂了,而且很有道理,M4这个管子DG(漏、栅)之前的寄生电容真会被充电的话,那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了,糟了,又长脑子了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:36
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    23#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:36 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:233 F( G. R$ i! k& j( V1 Y: _, a0 Z3 T
    那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上 ...

    3 ?8 O, I) @- s1 z9 H, B是不是一定这样导致的,暂时不知道,不过是听懂了,而且很有道理,M4这个管子DG(漏、栅)之前的寄生电容真会被充电的话,那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了,糟了,又长脑子了。
    " N" @+ }( @4 ?/ \% [
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    24#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:40 | 只看该作者
    貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。。。
    9 E- p  q* ?% r$ q; ?! X5 s2 q0 {

    点评

    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗? 当然,如果你要求不高,单个mos还是可以用的。比如:不在乎空载漏电,没有两路电源同时使用,不在乎产品的死机率等。  详情 回复 发表于 2025-1-4 10:20
    不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了,这样会对左下角这个电  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:55
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    25#
    发表于 2025-1-2 17:55 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
    ; \) b3 q0 d  ?- O# o6 c* |貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。 ...

    ) e2 [) |5 r( |8 {# ^1 P5 z不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了,这样会对左下角这个电源一直放电。
      |8 f! y8 ?2 x3 [" v( r

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    被发现了,这个电阻原先计划300K,只是为了验证M1为啥漏极有电压,故意设小(加强下拉看看),感谢。  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:19
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    2019-11-21 15:17
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    [LV.1]初来乍到

    26#
    发表于 2025-1-4 09:08 | 只看该作者
    R1是330K   2.249V,   加了R3 330R 2.99V,  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K, 这个值是哪来的?

    该用户从未签到

    27#
    发表于 2025-1-4 10:20 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40  j; s) n7 J- R! b9 S4 R. V
    貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。 ...

    : c& d% N, `+ ~3 e0 F2 A" X本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗?
      i* a( U/ J( ?3 D当然,如果你要求不高,单个mos还是可以用的。比如:不在乎空载漏电,没有两路电源同时使用,不在乎产品的死机率等。
    2 B, u7 {- A8 S! m

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    感谢答疑  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:21
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    28#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:19 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55
    2 \+ `  [& ^* E# N不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V ...
    / G+ ^, o/ Y0 h; d) Y
    被发现了,这个电阻原先计划300K,只是为了验证M1为啥漏极有电压,故意设小(加强下拉看看),感谢。
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    29#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:21 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20
      n' |$ u+ _- |本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗?
    ( p$ e6 ^6 T7 [# w当然,如果你要求不 ...

    $ R/ i0 I2 u$ n- _5 o感谢答疑7 ]1 H" Z0 K3 B4 o2 \
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