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楼主: Scisci
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PMOS竟然导通了?!

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    开心
    2025-9-16 15:57
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    [LV.8]以坛为家I

    16#
    发表于 2025-1-2 16:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-2 16:27
    4 w% h8 q+ W4 ^! w! V% \这个图有防倒灌功能吗?BAT1供电时,BAT2有没有电压?

    & ~9 L5 Z$ r; D有呀,给备用电池灌点电不少很正常吗,但备用往往电压比主电池高,所以不用担心灌点问题。% B1 ~; Y# P$ K$ f4 r# s0 ^! {

    点评

    好吧。你高兴就好  发表于 2025-1-2 16:31
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    [LV.8]以坛为家I

    17#
    发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 15:330 }2 r4 t' @% n% L. a( V- }: ^
    这边的疑惑是M1为啥能导通了,(看现象是),(对M3接法,故意让它体二极管上电导通的)
    2 o  t: b. }, @  X% p
    是不是真的导通了,光看电压没有,最好串给电流表,看下是不是持续有电流,还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。
    . Q- E2 w5 Q' _4 n% k4 B) \# w
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    奋斗
    2025-1-16 15:21
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    18#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    本帖最后由 Scisci 于 2025-1-2 16:49 编辑
    ! b- d( `# |: C7 k$ c' B" o
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22
    9 F# z  Z( t7 R你从那里看到M1是导通的?如果M1导通了那么M3还能导通吗?你不知道MOS有寄生电容吗?来网上给你扒一个双 ...
      b: C* _4 I& t& ^
    好哒,可是,M1如果不是导通的,那么小弟的仿真图里,为什么M1(注意不是M3)的漏极(D极)为啥有2.9V的电压啊,想不明白,另外如果M1是导通的话,M3失去作用了,始终通过体二极管导通,会有问题(发热很厉害),不知小弟分析的对不对,我10楼有再贴一个仿真验证。
    / O( x) {+ I: u9 F# R& e  ^

    点评

    的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗?  详情 回复 发表于 2025-1-2 16:48
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    19#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:38 | 只看该作者
    bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:22+ K* f3 W- V0 m4 T  j. L6 P
    看M3的D和S方向!!

    6 R( R  {" k' Q8 x2 E, S, k故意对调的,另外这边疑问是M1不是M3,M3故意让电压过来的
    2 W6 T# k4 c9 ~: ~1 g9 K/ O3 @7 r) I" n
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    20#
    发表于 2025-1-2 16:48 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 16:36, ^. f- c; k& C& l3 r& d  ^
    好哒,可是,MI如果不是导通的,那么小弟的仿真图里,为什么M1(注意不是M3)的漏极(D极)为啥有2.9V的 ...
    ) B3 L& [3 M3 ^' F3 f
    的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗?9 |6 K* [; b8 V4 }! P/ O0 ~8 _

    点评

    这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该是逻辑正常,为啥啊,没想通。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:03
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    21#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:03 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:482 t; Q4 X; B) m
    的确是这样,但是M1导通的条件是M4导通,为什么M4会导通呢,所以之前才跟你说看看串个电流标看看请,还有 ...
    5 a9 e; a" a6 z
    这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该是逻辑正常,为啥啊,没想通。: ^4 L# A* `6 a3 A/ f

    带载测试.png (32.53 KB, 下载次数: 6)

    带300R负载测试

    带300R负载测试

    点评

    那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通,所以才有之前的事情,而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:23
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    22#
    发表于 2025-1-2 17:23 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:03
    , C/ j, e) N1 J) U$ b- e这边把R1并联个300R模拟负载(类似于你说的R1改为300R),确实发现M1的漏极电压正常了,被拉的很低,应该 ...
    0 t$ q6 Z9 B4 x+ u
    那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通,所以才有之前的事情,而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  H4 }; ~: |/ E% F5 a, _. |- ^

    点评

    是不是一定这样导致的,暂时不知道,不过是听懂了,而且很有道理,M4这个管子DG(漏、栅)之前的寄生电容真会被充电的话,那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了,糟了,又长脑子了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:36
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    23#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:36 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:23" m: k+ y" [2 `. G1 I2 L8 r" V
    那就对了,因为R1电阻太大,通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电,这个充电电流在R1上 ...
    ( @3 m- e: e: A4 Z7 m8 `( B) T* m+ `5 k' F% ^
    是不是一定这样导致的,暂时不知道,不过是听懂了,而且很有道理,M4这个管子DG(漏、栅)之前的寄生电容真会被充电的话,那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了,糟了,又长脑子了。
    8 O$ \3 b" y* J1 e$ |
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    24#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:40 | 只看该作者
    貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。。。/ g/ ?1 q  C4 [/ k

    点评

    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗? 当然,如果你要求不高,单个mos还是可以用的。比如:不在乎空载漏电,没有两路电源同时使用,不在乎产品的死机率等。  详情 回复 发表于 2025-1-4 10:20
    不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了,这样会对左下角这个电  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:55
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    25#
    发表于 2025-1-2 17:55 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40- I# X! x6 r8 R/ s+ H
    貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。 ...
    1 c4 _) L* N4 p3 z2 w' J* k
    不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了,这样会对左下角这个电源一直放电。& l2 h+ g) j, u! {, Z6 Y* _

    点评

    被发现了,这个电阻原先计划300K,只是为了验证M1为啥漏极有电压,故意设小(加强下拉看看),感谢。  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:19
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    2019-11-21 15:17
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    [LV.1]初来乍到

    26#
    发表于 2025-1-4 09:08 | 只看该作者
    R1是330K   2.249V,   加了R3 330R 2.99V,  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K, 这个值是哪来的?

    该用户从未签到

    27#
    发表于 2025-1-4 10:20 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
    2 O* r/ ]" b. G貌似这个电路没有啥实用价值,而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用,不知道是不是这样分析。 ...

    , q$ ]& A' B0 Z* h. t本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗?! i8 |! i3 ?6 h
    当然,如果你要求不高,单个mos还是可以用的。比如:不在乎空载漏电,没有两路电源同时使用,不在乎产品的死机率等。2 [3 N) Q0 Q7 [7 Z* b! ^

    点评

    感谢答疑  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:21
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    28#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:19 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55+ h. S1 u& X5 R
    不一定呀,要看M3的VGS是多少导通,至少跟V2一样的电压的时候,M4导通,然后M1导通,这样M3的VGS基本上0V ...
    & e; V1 ~0 V. E- E
    被发现了,这个电阻原先计划300K,只是为了验证M1为啥漏极有电压,故意设小(加强下拉看看),感谢。& i# @( |6 k8 Y3 c) \
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    29#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:21 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20: [; m4 L# t; Y0 U
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗?, y& ]+ E- l" e
    当然,如果你要求不 ...
    4 v9 o( Z5 |/ l+ W
    感谢答疑$ m+ l0 u* J$ D- f6 o' N
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