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全桥拓扑电路的常用国产MOS管:FHP1906V型号参数

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 楼主| 发表于 2024-12-20 17:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2024-12-20 18:53 编辑 & P! K/ _1 E! Z+ L4 |3 ^$ j! O7 ?) U
$ u1 H; H+ e) y* [3 }) r
全桥拓扑相比于半桥或推挽拓扑,具有更高的功率处理能力、对称的电压转换特性以及更好的效率,常常适用于高功率和高效率要求的应用场景。比如:不间断电源(UPS)、电源转换器、电源转换器、音频放大器等等。
: p) z4 E/ h) M2 r$ p, @$ c
+ @' w3 x& z1 }1 r# q本文重点介绍的这一款MOS管是验证用于12V/24蓄电池搭配的UPS中的全桥拓扑电路中。此类UPS通常在SOHO小型化办公室和家庭办公需求的设备中使用。它是一款纯国产MOS管并能替代IRFB7545PbF型号场效应管使用。9 ~# d) [  h, u! j! `; _; F

( t/ e/ x) V( i
6 }# `* x2 ~3 e% ~/ v+ Y) ~9 U6 ?
它就是来自飞虹半导体研发、生产的FHP1906V型号MOS管,能够代换IRFB7545PbF、HY1906、FHP1906A等型号的国产MOS管来应用于全桥拓扑!
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它作为一款N沟道增强型场效应管,以其120A、60V的电流、电压特性,电子工程师不仅可以应用于全桥拓扑中,还可以用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制和驱动等应用场景。
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这款FHP1906V场效应管产品具体参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3;ID(A):120;BVdss(V):60。RDS (on) = 5.0mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 6.0mΩ(max)@V GS =10V。# O: I: E8 p: c
2 Y  |7 P9 M- X$ y8 W
上述参数都是FHP1906V能代换IRFB7545PbF作用于全桥拓扑解决全桥电路的效率、功率密度、热管理和整体可靠性等问题。
& n7 S- Z/ p* \  S; }- q  @7 i+ d2 O8 d

1 v( {; `9 S. d除此以外,FHP1906V的主要封装形式是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。6 N& `/ ?2 I  r+ N
. }" c  N* [+ G; r( U
采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。, M# }9 ?$ r( Z0 M* D! V8 Y4 g6 ?
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若要介绍一款120A电流、60V电压的MOS管,优先推荐纯国产的FHP1906V型号来代换IRFB7545PbF应用于全桥拓扑中使用。
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  w2 y/ j$ R0 Q/ W6 P& h120A、60V的MOS管代换使用,对于全桥拓扑选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于全桥拓扑中,还可用于车载高频变频器、户外储能电源、电机驱动控制器等终端应用场景。
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6 ^* K6 P' y+ ~- e% C* s$ B为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可
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    2#
    发表于 2024-12-20 18:54 | 只看该作者
    参数看着很不错。
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