国产MOS管新产品重磅发布：FHP1906V具备更低导通，更高性价比

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飞虹半导体针对逆变器、DC-DC转换器、电机控制和驱动的厂商需求，推出国产MOS管新产品：FHP1906V型号。

: K* R' L4 ~( Y0 s9 }! NFHP1906V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。

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* }! j3 v& B+ O2 n* a* x: A2 x该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

下述将围绕FHP1906V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：
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0 A; ~5 n" |$ u0 W. V* R一、产品特点
" [+ L9 U* P2 w. \1、100% Rg测试。
  Z( c* C* m5 z  [+ s! V2、100% EAS测试。
3、100% DVDS热阻测试。
* ?6 g- a1 y9 |. b4、雪崩耐量高，抗冲击性能强。
; A, ~  R/ a8 M0 F* m9 Y4 U2 b5、采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
6、拥有极低的导通内阻RDS(on)，优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)。
* T# Q3 M# P" d, ]8 G; P7、通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料，使产品拥有高可靠性，开关速度快。
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. q+ c9 E: G+ r9 r& A: D

5 y- Y) t8 Q$ b  M, r2 o5 X二、友商参数对比
1、对比HY1906场效应管：进一步优化，让FHP1906V拥有更低的导通内阻。
2、对比IRFB7545PbF场效应管：为工程师们提供更高性价比的国产化替代产品。
/ k. j8 @% U+ I( {9 B3、和本公司上一代FHP1906A相比，进一步降低Qg，降低损耗，提高了品质因数FOM(RDSON*Qg)，性能更优。
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. T5 D8 K% ?- ^% r: q- l三、推荐应用范围
, Q& ?! n, {$ x8 G) U1、同步整流
8 t% T+ S; p: l1 w' O, S2、24-36V BLDC电机驱动控制器
3、12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路
4、5串磷酸铁锂电池组搭配的户外储能电源中逆变模块的DC-DC推挽拓扑升压电路
5、适合全桥拓扑应用，如12V/24蓄电池搭配的UPS，适合SOHO小型化办公室和家庭办公需求UPS电源的设备
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; V5 ?. D. }+ `; M8 l7 Y2 h1 c四、部分典型特性曲线

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国产化MOS管已经逐渐成为电子工程师的日常，如何选用优质的代换型号是一个关键的话题。FHP1906V新产品的发布为电子厂商提供更低导通电阻的产品选择，也提供更高性价比的场效应管。

' ?5 H! D- D6 k1 H9 I7 X( M飞虹半导体致力于大功率分立器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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