为开关电源提效降损的SGT MOSFET，优选FHL385N1F1A场效应管

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如何帮助高频电源开关达成提效降损的作用目的呢？核心在于选用对的SGT MOSFET。因为SGT MOSFET在高频开关电源中的作用主要是提高效率、降低功率损耗、改善热管理、提升高频性能和优化EMI表现，从而使整个电源系统性能更佳，体积更小，更具竞争力。

! t% q, f! L" E( t目前常见会使用的SGT MOSFET型号会有IPT015N10N5，而在国内可以推荐一款更优可代换的产品是FHL385N1F1A场效应管！
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+ H8 A. D. v3 U' J$ q. v为何对FHL385N1F1A型号场效应管在高频开关电源中使用能给予认可呢？除了其正是385A、100V参数的mos管外，还因其具备优秀的产品特点：
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1、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。
2、100% EAS测试，使产品可靠性有数据参考
3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
4、100% Rg测试，验证产品的稳定性
5、低导通内阻：使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。

, s5 c+ k& r) v2 ^* p3 j" y2 Q当然除了产品具备的优良特点外，FHL385N1F1A能替代IPT015N10N5低压MOS管型号型号其还具备优良的参数：

% |( i8 W9 u. y' k1 x+ A7 b4 h9 D8 l1、最大脉冲漏记电流（IDM ）：1540A
2、反向传输电容：940pF
3、 RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V
4、N沟道增强型场效应晶体管
5、Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；
6、ID（A）：385A；BVdss（V）：100V
: R7 j. h) M- v7、静态导通电阻（typ）：1.3mΩ
: l/ ?" w. i9 @7 ^2 Y( w! m( l8、FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形（具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点）
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由此可见，高频开关电源想要达成提效降损是可以直接选用FHL385N1F1A型号场效应管，其参数可见详细产品规格书。FHL385N1F1A型号MOS管，是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产。

! g: q6 }/ J4 B8 B因其达工业级mos管特点，所以更广泛使用在高频开关电源、电动摩托车72V蓄电池电机控制、电动四轮观光车、PD电源、同步整流、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景；mos管品牌替代型号：IPT015N10N5。
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有完整的器件手册吗