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请高手解答10G信号线GND层掏空为什么

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该用户从未签到

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1#
发表于 2012-8-9 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
1金币

aaaa.png (7.99 KB, 下载次数: 22)

aaaa.png

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2#
发表于 2012-8-14 14:17 | 只看该作者
多传几张图啊。。

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3#
发表于 2012-8-16 09:38 | 只看该作者
1.减少寄生电容效应,寄生电容减缓信号的上升沿 对高频信号质量影响大" p  ^* R6 M* {3 C
2.高速信号是有一些会在同层回流,但微乎其微,主要还是走线正下方的完整参考平面!隔层参考就对了!

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4#
发表于 2012-8-18 20:33 | 只看该作者
楼上的回答很正确,10G的信号阻抗一般很大(100ohms左右),信号Trace就很细;信号线很细对工厂的制造阻抗控制及信好的传输可靠性都是挑战。通常的做法就是把信号Trace线加粗,挖空相邻GND层,然后在下一个层面补上GND层作为参考。同时在10G信号换层的地方添加Stiching VIA.

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5#
发表于 2012-8-20 15:30 | 只看该作者
3楼说得对,减少寄生电容

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6#
 楼主| 发表于 2012-8-20 16:31 | 只看该作者
请各会高手在说的细一点    最好能付上图   
9 F2 L7 H+ @: h% ?! {' Q5 _% D; a6 l:lol:lol:lol:lol:lol:lol:lol:lol:lol

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7#
发表于 2012-8-23 21:56 | 只看该作者
减少寄生电容 保持阻抗匹配

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8#
发表于 2012-12-4 21:38 | 只看该作者
icebluexiong 发表于 2012-8-23 21:56 9 G- P9 B) T" M) i$ w' ?4 p
减少寄生电容 保持阻抗匹配

7 ?* ?1 B- l- l) h* }& f寄生电容是减小了,但并不能起到保持阻抗匹配的作用。因为我们不可以把减少过孔的容性当作为更好的匹配,对吧。
( D. [$ s$ O( X/ k且挖空后会造成更大面积的参考面不连续,带来了EMI问题。

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9#
发表于 2012-12-10 01:17 | 只看该作者
我觉得是为了使高速信号参考其他的地层从而达到阻抗匹配的目的,呵呵呵,我也是个菜鸟,请各位指教。

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10#
发表于 2012-12-10 14:28 | 只看该作者
挖空是为了保证加粗后阻抗保持不变。

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11#
发表于 2012-12-11 14:14 | 只看该作者
一般都是为了阻抗匹配,我们挖空都是在耦合电容或者下面做的,因为考虑高速信号流经电容时候阻抗很小,为了阻抗匹配,挖空电容下面的参考层以求达到增大阻抗从而达到阻抗匹配的作用。

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12#
发表于 2012-12-11 14:16 | 只看该作者
考虑过孔的阻抗连续,同样的道理增加过孔阻抗连续性

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13#
发表于 2012-12-15 08:36 | 只看该作者
那个是因为无论是什么CLK 还是什么SI 只要超过50M频率了 这线就成了事实上的天线 不断的干扰周围所有的元件与其他走线 很“脏” 想象下手机辐射效果 犹如水波纹一般向外发射的 所以一定得KEEPOUT 净空 如果实在区域不够 可以考虑把板子给割开 V-CUT开槽  这样就不干扰了 开多少槽多少MM 那个得按工艺

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14#
发表于 2012-12-15 08:37 | 只看该作者
因为板子老割开 那强度就不够

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15#
发表于 2013-1-12 10:59 | 只看该作者
图中过孔在GND层是自动挖开的,不同特意去挖一下铜皮。出gerber在出内层的时候选择把不用的焊盘去处掉就可以,这样VIA孔内层的焊盘就会被去除掉,就不存在寄生电容了,而且也能起到阻抗匹配连续的效果。这样去手动的挖开多此一举。
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