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中国已是IGBT全球最大的市场,其需求的增长主要是新能源的增长带来的,其中新能源汽车、光伏等需求更是核心的增长。由于需求的增长,IGBT单管常常是处于供不应求的状态。
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有数据分析,预计2024年我国IGBT行业产量将达0.78亿只,而需求量却为1.96亿只。缺口巨大,对于光伏产业链的太阳能逆变器厂家该如何为其中的三相全桥逆变拓扑结构寻求优质的IGBT产品呢?5 T+ X, Z) D9 P8 M
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在市场中NGTB25N120FL2WG作为之前常用的国外型号,在国内已经有比较好的国产替代,它就是飞虹半导体的FHA25T120A型号IGBT单管。
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9 Y4 T5 w# Q4 m为何?因为FHA25T120A型号IGBT单管具备以下特点:! z1 T: M6 ~+ ~/ l! ^
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1、高可靠性
0 N- e d3 i1 k( N2、拥有反向并行的快恢复二极管
4 u; H* I. W4 X @. {2 [, t, P3、Trench Field Stop technology(拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低)
% F6 k% X3 L [3 @4 M4、拥有正温度系数
# r/ Q/ G- x2 c4 p0 ^5、Tjmax=175℃ ) _$ l- X/ d1 ~' b* c" r
6、开关频率fsw=40KHz2 }2 f4 n' m" Q4 ^
0 ?2 q3 c# n$ ?! ?- `' OIGBT单管需要安全、稳定、可靠,不仅仅说性能,还有供货,飞虹半导体产线稳定,供货质量好。重要的是这一款25A、1200V电流、电压的FHA25T120A的IGBT单管型号参数是很适合使用在太阳能逆变器中。- u# F; P- I1 _" M/ | I
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1 U8 P y* e8 k; r) ~& P& e* y使用过飞虹这一款IGBT的电子研发工程师都了解这款优质FHA25T120A国产IGBT单管的详细参数:其具有25A、1200V的电流、电压,VCEsat典型值:1.78V-typ VGE=15V,IC=25A,TJ =25°C ,;ID (Tc=100℃):25A;BVCES:1200V;IF(A)(Tc=25℃):30A;IF(A)(Tc=100℃):15A。
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, v( k7 O1 }) t& e7 n" cFHA25T120A是一款场沟槽栅截止型IGBT,其他MOS管品牌替代型号:NGTB25N120FL2WG。常用于:太阳能逆变器、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路,可适用开关频率1~40KHz等应用场景。" a8 T1 Q2 q. T+ G7 q: s
1 l- y8 i5 {' u- t6 ?3 vFHA25T120A的其他参数值为:栅极体漏电流IGES(F/R) :(VCE=0V,VGE =±30V):±200nA、反向传输电容:67.3pF。
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太阳能逆变器的使用一定要考虑性价比高的IGBT单管。在国产化IGBT替代产品建议可以选择优质的FHA25T120AIGBT单管代换NGTB25N120FL2WG参数型号用于太阳能逆变器,才能在激烈的角逐中获得优势!! x& g! g% @4 ^) ~/ {1 `! ^
9 f4 e; S# r o% O9 j0 }1200V、25A 的IGBT代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的IGBT不仅广泛应用于太阳能逆变器中,还可用于新能源电动车、音响功放、UPS等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可
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