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本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-12 17:02 编辑
, [, d( Q. `+ i& f" J+ P- qicy88 发表于 2012-5-12 15:10 . L5 n% p0 }9 D% Q( X
yuxuan兄,我是这样理解的,如果不考虑直流电压的话,三者的物理结构是一样的,因此,三者的s参数应该是一致的 ...
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当PORT覆盖了所有的参考平面和走线时,一样的结构当然S参数是一致的,但是这样没法体现出将一层的参考平面变成floating plane
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修改了PORT的面积仅仅是为了不将第一层的导体与走线发生电场的联系,即将第一层的导体隔离开来,所以PORT拉短的距离其实很小,就一个小口,为了使不影响PORT周围电磁场分布计算. o! u/ O4 i6 l9 Y. q
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物理结构一样代表着耦合的效果一样,但是把第一层的导体割离开来,在这一层上耦合出来的电流就无法回到源端,可能会造成辐射,S21的本质是表征信号功率的传递,或者是叫信号能量的传递,因为这种耦合而造成的辐射导致信号能量的减小应该在S参数上有所体现的,这个就和过孔连接了两个地平面,而附近没有地孔提供低阻抗回路造成回流高频部分的损耗道理是一样的,只不过一个是消耗辐射上,一个是消耗在回路的感抗上了,这个是我的理解。 |
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