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楼主: icy88
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[仿真讨论] DDR2中clock与dqs之间的时序关系

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该用户从未签到

16#
发表于 2012-5-9 19:09 | 只看该作者
首先,需要考虑为什么要引入DQS?" f: i6 e+ Y" H: o/ ^( N7 |
应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用clock来同步的。速度提高之后,可用的时序余量越来越小,引入DQS是为了降低l设计难度和可靠性,可以不用考虑DQ和clock之间的直接关系,只用分组考虑DQ和DQS之间的关系,很容易做到同组同层,降低走线之间的skew.
% d6 j$ U7 y) z问什么要考虑DQS和clock之间的关系?
" j3 p2 y8 ?+ d$ }& _  W. z5 N9 lDQ和DQS只是组成了源同步时序的传输关系,可以保证数据在接收端被正确的所存,但是IC工作时,内部真正的同步时钟是clock而不是DQS,数据要在IC内部传输存储同样需要和clock(内部时钟比外部时钟慢)去同步,所以就要求所有的DQ信号还是同步的,而且和clock保持一定的关系,所以就要控制DQS和clock之间的延时了。
! b4 }$ P* p8 z, ?: Z. Y4 D3 Q1 G) V1 E4 q/ y8 M) z
个人认为,引入DQS只是为了layout设计上的需求(时序),最终所有的信号还是需要clock去同步的。5 b; O5 Q, x* T3 U
注:DDR3是通过Memory controller的内部延时,保证了DQS和clock之间的延时差,实际效果也是一样的。

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该用户从未签到

17#
 楼主| 发表于 2012-5-10 11:38 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-5-9 17:02 1 g4 M! D6 |0 r* M
两个观点:
/ I  D: o+ k/ o
3 a# p! e7 e! L# d' g. O, g1.DQS虽然叫做DQ的时钟,但是它的表现形式和我们常见的时钟还是不一样的,常见的时钟形 ...
$ z; l; }! X5 q
yuxuan51高见,好的时序设计是可以有效地提高总线利用率的

该用户从未签到

18#
发表于 2012-5-10 16:43 | 只看该作者
学飞一下,不错的!!!
  • TA的每日心情
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    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    19#
    发表于 2012-5-11 09:52 | 只看该作者
    呵呵,谢谢LZ的指点。
      m" Q- d6 t. }# u  [2 t听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线长,确定与Clock的延时关系,并保存到内部寄存器中,没找到这方面的资料,还不知真假。

    该用户从未签到

    20#
     楼主| 发表于 2012-5-11 11:51 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52 4 E3 A5 L. E  u0 o, i
    呵呵,谢谢LZ的指点。# {' s. n) T9 g; R% U
    听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
    & \# u6 n3 d# B- n8 u1 I( |
    是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specification.
  • TA的每日心情
    开心
    2026-2-11 15:38
  • 签到天数: 71 天

    [LV.6]常住居民II

    21#
    发表于 2012-5-11 12:30 | 只看该作者
    我还在云里雾里呀,开始使用ddr3

    该用户从未签到

    22#
    发表于 2012-5-15 13:59 | 只看该作者
    gys 发表于 2012-5-9 19:09 ; H# u3 s( F+ B' |' j
    首先,需要考虑为什么要引入DQS?
    3 `5 H) F' [( G6 r1 P应该说DQ的读写时序完全可以由clock来同步的,比如DDR之前的SDR就是只使用 ...
    8 f6 j( E1 z7 j0 o* z) _# o
    你说的在理。DQS是依靠clock同步的,工作时,每组数据线与相应的DQS同步,理论上不同组的数据线的DQS在同一时刻延迟应该不一样,这样可以使layout更利于分组布线,这也是为什么每组数据线要和相应的DQS基本等长的原因。很喜欢楼主的表达方式,没有很多专业术语,利于新手理解!

    该用户从未签到

    23#
    发表于 2012-5-15 14:22 | 只看该作者
    icy88 发表于 2012-5-11 11:51 / q7 s4 }4 p$ t' N6 I
    是的,DDR3中新增write Leveling的模式,可以调节dqs的延时,相关资料参考jedec 的 DDR3 SDRAM Specificatio ...

    & e( ]- D; d1 u' H+ U/ z调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?" N* Q& I* _# [7 k, _2 x) F

    4 ^, {8 l/ N& |. S7 ]  _另外read Leveling的作用是什么?用来保证哪个参数的?

    该用户从未签到

    24#
    发表于 2012-5-15 19:25 | 只看该作者
    恩,学习学习

    该用户从未签到

    25#
     楼主| 发表于 2012-5-16 15:40 | 只看该作者
    doya 发表于 2012-5-15 14:22
    3 F% t' x2 G" G9 r调节DQS的延时,可以保证DQS和CLK之间的时序关系。但是DQS的延时改变了,会影响到DQS和DQ之间的时序吗?/ p/ z4 C# n6 q) p7 p
    ...

    + r' x0 P0 H& c; N0 A) K9 y* m5 W! m6 u. L' G& y: D+ h
    dq是由dqs触发的,所以dq和dqs的发送是同步的,因此不会影响两者的时序的.
    $ ~5 b1 J) \, i+ l; }( L- p
    0 @) F- `$ ]+ [! H( j# P- I$ Uread Leveling??  DDR里没有这个吧 .

    该用户从未签到

    26#
    发表于 2012-5-16 16:49 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2012-5-11 09:52
    ! V* L/ r" P* \呵呵,谢谢LZ的指点。
    ; O% k  v- M& D  k9 W% h; q$ t听说DDR3的Memory controller有内部寄存器,会自动根据发送测试数据来获得各组DQS线 ...
    : E+ Q: w4 \" T/ ]9 Q1 }+ `
    真是这样的。
  • TA的每日心情
    开心
    2020-8-31 15:12
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    27#
    发表于 2012-6-7 17:00 | 只看该作者
    高手真多,来学习了

    该用户从未签到

    28#
    发表于 2012-6-7 22:57 | 只看该作者
    学习了!!!!!!!!!

    该用户从未签到

    29#
    发表于 2012-6-11 10:02 | 只看该作者
    我也一直想弄明白dqs和clk的关系,这次有点懂了。
    * J$ I, N8 }3 J+ c; p1 w6 _5 s' b好贴顶起。

    该用户从未签到

    30#
    发表于 2012-6-21 21:41 | 只看该作者
    CLK的相位是不可调的作为基准,DQS可以根据CLK调节来更好的匹配DQ,CLK与DQS的等长,我记得是75-125,DQS调节好像是1/4相位步进调节,差太远会超出1个周期。
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