EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-29 15:31 编辑 $ T8 J# R$ x" n# x
' _, D- @# V5 {, lNCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2 以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET 描述 采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。 总体特点 ●高密度电池设计，超低RDS（ON） ●全特性雪崩电压和电流 ●稳定性好，均匀性好，EAS高 ●优良的包装，散热性好 应用 ●电源开关应用 ●硬切换和高频电路 ●不间断电源
' ]: }! T2 z9 s9 N. F# I/ GNCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A RDS（ON） < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ) , |; c% `3 x# l; R2 X" C
NCE3050K（封装TO-252-2L）: VDS = 30V, ID = 50A RDS（ON） < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ) RDS（ON） < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ)
7 E3 ?, e( l7 NNCE6020AI （封装TO-252-2L）: VDS = 60V, ID = 20A RDS（ON） <25mΩ @ VGS =10V RDS（ON） <31mΩ @ VGS =4.5V 1 p% {9 L# Z0 }3 ]/ i) I
NCE0130A（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 30A RDS（ON） < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ)
3 ]5 A# B0 x+ c6 J5 ~0 l5 dNCE0157A2（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 57A RDS（ON） < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ) * H/ W+ C, X8 k+ t
- K7 ^1 ?* B$ x. a% e1 M7 S$ e) U. e7 B9 `* Q' D" e' t
| 
/1 
发表于 2022-11-29 14:04
收藏
淘帖
支持！
反对！