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静电保护元件ESD选型

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发表于 2022-11-22 10:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元件,又称瞬态抑 制二极管阵列(TVS Array)。7 t8 t. u% m0 p$ K& A

- u* @9 Y9 w* _" Y. p# U  \7 d* XESD 由一个或多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局制 成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。 ESD 主要应用于各类通信接口 ESD 保 护,如 USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM 卡、SD 卡 等。ESD 器件封装多样化,从单路的 DFN0201 到多路的 SOIC-16 等,电路设计工程 师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装的 ESD 器件。
9 ^: G  u  ^( J& \
2 D: I1 a0 ?6 w: n( U7 nESD 特点:" N( ^/ h* P6 S: m" z3 N: Y+ q
9 D8 g- E# _' ~9 I/ b. S
    ESD 是一种钳位型过电压保护器件,用于静电防护及一些较低浪涌的防护;. \& q; F$ t/ w, b0 e' I
    工作电压根据 IC 的工作电压设计,如 2.8V、3.3V、5V、12V、15V、24V、36V 等;3 W$ J& O  o5 D1 Z/ r: R/ ]
    电容低,最小可做到零点几皮法,满足高速数据接口应用,不影响数据通信质量;
3 M5 L4 T0 j2 c    封装可做到小型化器件,如 0201、0402 等封装,节约 PCB 空间;* {8 J. m% b: o5 b* B
    灵活度高,可根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数;- x* y% t7 L8 [' M1 h: D
    封装多样化,有 QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、 SOD-323、SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等。
" n5 G* d8 j7 a1 Q  Z& _. c: Y- y; v" d4 Z8 J% @8 U
ESD 选型注意事项
$ B) F8 P" B8 ]& p% p8 x  i% ]: i  U9 `  ?3 ~
    结电容 C j:ESD 一般用于各类通信端口静电防护,在一些高速数据线路,如 USB3.0、HDMI、IEEE1394 等接口, 应选择结电容小的 ESD 器件,以避免影响通信质量。
! P% R% _8 @6 k& k4 a; F, n" @    截止电压 V RWM:ESD 器件的截止电压应大于被保护电路的最大工作电压,否则会影响被保护电路的正常工作。如工 作电压为 5V 的线路,应选择截止电压等于或者大于 5V 的 ESD 器件。
- d6 S% V7 r* @  S0 l8 Q    封装形式:根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。ESD 器件封装的大小从一定程度上可以反应器件 的防护等级大小,一般封装越大的器件可容纳的 ESD 芯片尺寸也越大,防护等级也越高,反之亦然。
# T6 _: R/ l- t# v9 H3 c    极性:ESD 有单向和双向之分,根据工作的信号进行选择,单极性的信号可以选择单向的 ESD 或双向的 ESD 器件, 双极性的信号需选择双向的 ESD 器件。
6 l) F7 ~9 W) R" |6 h% G9 N$ Z+ P; Z+ h1 L8 Z7 p

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2#
发表于 2022-11-22 11:18 | 只看该作者
当系统没有干扰,正常工作时,ESD器件可以忽略,几乎不起作用

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3#
发表于 2022-11-22 13:33 | 只看该作者
外部接口电压超过ESD器件的击穿电压(VBR),ESD器件开始起作用,会将电流分流到地。
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