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本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 + L# T1 D7 C0 `9 |7 A
picibi 发表于 2012-5-8 10:26 ![]() $ c- l0 ?8 ~1 P
也请教一下yuxuan51版主~~8 x2 ]/ u# T3 h" |2 k1 }' Z: z
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...
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首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
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下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来
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首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
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然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流
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然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图& a6 @0 d; x5 P& C) q# x1 K
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当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了, I) V/ ]9 \; ^& G4 J8 }6 f
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发表于 2012-5-4 08:37
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