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1、W74M12JWSSIQ ，IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8SOIC! j' s x6 c/ Y( |# }) H/ V( o
存储器类型：非易失
6 j! p6 u' Z0 O- B% e4 D存储器格式：闪存: M/ E' C+ Q$ l9 L; E. X7 z3 w
技术：闪存 - NAND
6 k; \- O& z# f: z存储容量：128Mb（16M x 8）
0 q5 R8 E8 z9 S! |- _( q6 v! y" D5 p存储器接口：-7 k- [+ M! o7 \( m$ K
时钟频率：104 MHz- {/ b: d. M8 z |# {& T3 a& G) q6 q
写周期时间 - 字，页：-
: X1 K4 X7 p5 H1 `3 S& ?; H1 K L7 c( x电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V' J8 V! }2 _% [; t* r1 W
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）7 K5 W! x. e- I6 D1 y
安装类型：表面贴装型. b3 P0 y) ~1 d* n9 o, Z) c
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）$ u( ?# F' X, b1 u, Q" k, q
供应商器件封装：8-SOIC
- r0 W0 S% W8 F" D* @" l z+ B- k
$ v/ ?; B/ n$ I* `; `
2、W25Q64FW（64M 位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。 25Q 系列提供了远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。 它们非常适合将代码映射到 RAM、直接从 Dual/Quad SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。 该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电，工作电流消耗低至 4mA，断电时电流消耗低至 1µA。 所有器件均采用节省空间的封装。+ ?, f' z" s( y% K; W$ |+ @0 B3 @4 H
W25Q64FW 分别有 4,096 个可擦除扇区和 256 个可擦除块。 4KB 的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。
# A/ K6 {0 L8 `7 o% m3 q8 C( Z
0 {$ [9 W; J5 S' h% {
W25Q64FWZPIG，IC FLASH 64MBIT SPI 104MHZ 8WSON" h. A! ^6 a6 G+ Z( ^' ?; T6 w
存储器类型：非易失
# Z9 k% Z8 P7 W* @9 I9 ~" n存储器格式：闪存* i* n% _8 W: z- W
技术：FLASH - NOR; [' o/ `2 w0 Q/ I/ G
存储容量：64Mb（8M x 8）
2 Q' y- F7 q1 @8 L, ^存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
; F: U6 S( A( d6 [" s% G9 F时钟频率：104 MHz, A7 c" o3 d3 z7 l# ~% g
写周期时间 - 字，页：5ms
' G0 ^* r( V" O7 b" \- F* l( a1 I电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V# D9 J: P- ~' ?
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
* ?2 C9 R& N- r* |安装类型：表面贴装型- L: V, C& z9 S% M* s9 M
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘4 ^5 b9 u/ b! b, `
供应商器件封装：8-WSON（6x5）
! Q+ @0 C" w4 f# Y存储器W74M12JWSSIQ（128MB）、W25Q64FWZPIG（64MB）
4 j" @5 m. [0 g; a |
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发表于 2022-9-16 10:31
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