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本帖最后由 li205212021 于 2022-3-8 09:22 编辑
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5 l/ t$ ]9 b' p! M& v1 b1 I" [" S1 ERAM，Random-Access Memory，即随机存取存储器，其实就是内存，断电会丢失数据。
4 N! N/ I/ I/ M) e1 y% s% U 主要分为SRAM（static）和DRAM（dynamic)。主要的区别在于存储单元，DRAM使用电容电荷进行存储。需要一直刷新充电。SRAM是用锁存器锁住信息，不需要刷新。但也需要充电保持。
* o4 `5 O! y8 `7 o- ^# B1 U 关于DRAM，其基本的存储单元如下，利用一个晶体管进行控制电容的充放电。
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, ]! G( A; u3 U2 a4 C
DRAM一般的寻址模式，控制的晶体管集成在单个存储单元中。
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) C$ s1 [+ Z3 B+ B现在的DRAM一般都是SDRAM，即Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步且能自由指定地址进行数据读写。其结构一般由许多个bank组成并利用以达到自由寻址。
( S1 J$ u9 V6 j; h" X- ^3 [5 d: D9 w) g9 I
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而RRAM，指的是Resistive Random Access Memory，这是最近才新研究的技术，并不成熟。利用Memositor（一种记忆电阻，其阻值会根据流过的电流而变化）作为存储单元，优点十分明显，并且和DRAM比起来在array中可以减少控制晶体管的数量，在CMOS chip上已经有所应用。
: V8 B$ H; O' c) [0 Z 举crossbar为例，我在一篇文章上看到的芯片 ![]() : \2 Z$ b# o/ ?3 |; N4 f+ @3 T
其基本的寻址模式是在crossbar外进行控制，DATA A为读取的数据而DATA B是不读取的数据。对相应的地址加以两种不同的电压完成存取。 ![]()
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发表于 2022-3-8 08:58
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