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原理图说明:; o/ c, h; i+ k/ b+ I
" m) h( d! s: z0 _2 O% X$ g8 Y, D2 ^& x4 H! c
上图DDR_I电路中需要注意到信号线有CLK+/-,DQS0/1等.# p+ R( Z, v6 i6 E0 @" b7 O8 S
, v$ ?4 H! o% n0 J Z
7 k; G" i# w H' ?: X' @1 S" z$ kPCB图说明:! }% [) s# |% \( a) d# @8 G
) r9 {& f3 `) D1: 13位地址线与16位数据线的宽度走6MIL就可以,每根线的间距为9MIL.& i5 Y. G: H4 s, i5 a
2:时钟走线宽度12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔.时钟线一定不要有过孔. J0 ~/ f: W8 N1 y& n& N3 g
3 QS0/1线的线宽12MIL,两边包地处理,尽可能多打过孔一定不要打过孔.- n$ Z- m2 s# P- f9 V, F# |
4DR芯片的高频电容要靠近相应的供电脚放置,连线宽度>=12MIL.其供电线宽度>=30MIL.单元供电LDO靠近DDR芯片放置." Q5 S) G+ H3 }) o4 b6 k
5:REF电路需要靠近芯片的引脚放置,线宽>=12MIL.
. Z: K7 m9 c5 @ R/ C8 c6:整个DDR单元电路与外界需要用地线隔离.
3 Y% N; I$ U" Q% p0 C* q8 ~9 x1 H; M7 B7 l
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发表于 2011-8-12 16:56
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