中国光刻机明年可以达到世界较为先进的水平，开始迈入芯片强国吗？

kekek

1 ]( K3 c9 Q4 o& [4 X理论上如果我们把国产半导体设备每个环节拿出来看，都有国产厂家，而且不少还开发出了14nm的设备，甚至个别环节的已经到了7nm以下。
7 u) W+ d/ z; D在半导体生产设备领域，即使是那些国产化率非常低的产品，都有国产厂家在做，并且大多都已经在产线开始应用了。
比如ALD是国产化率很低的设备，但看下图，来自北方华创官网，2018年实现了国产首台销售的ALD(原子层沉积设备)，可实现28nm-14nm的FinFET等工艺要求。
即使生产设备的产线量产验证期长达1-2年，那么今年也应该验证完毕了。
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半导体生产设备所有的领域都有中国公司在做，不是2020年的现在才从头开始，包括那些被美系和日系厂家垄断，被认为国产化难度极高的等领域。
最重要的光刻机，按照光刻机02专项的时间进度，上海微电子应该是今年底或者明年初搞出28nm节点光刻机，再加上产线验证一年，这样看似乎有2年内做成28nm去美化产线并实现初步试产甚至量产的可能性？
关于光刻机的进度，我看到有很多对上海微电子的质疑，
比如上海微电子虽然有90nm 600系列IC前道光刻机，但是这些年都只是在展会上展出，或者在实验室，从来没有真正的在产线实际量产，中芯国际并没有购买。
到2018年5月，上海微电子才累计出货了100台光刻机，而且集中在LED和IC后道封装光刻机。
6 C8 J: a: K5 {其实事情并没有那么复杂，上海微电子的90nm光刻机2016年才研发成功，
2017年，“90nm光刻机样机研制”任务通过02重大科技专项专家组现场测试，
2018年，才完成通过并正式验收。
( |9 G) _( h5 Z. @% M9 F& Y( |而这个时候的世界，台积电已经率先量产7nm了，中芯国际也在把14nm工艺进行客户导入验证。
上海微电子的90nm IC前道光刻机，更多的可以看成是技术研发积累的过程。对于中芯国际来说，老式的光刻机早已经折旧完成，价格本来就很便宜，市场上也有不少便宜二手货可以买，那么在2018年花费时间验证一台90nm水平的国产设备，再用一两年时间，也就是在2019-2020年把国产90nm光刻机导入产线，其在财务和技术上的意义都不大，不可能大规模购买。
" i% i: k* D# e; c1 x, K验证更先进的国产光刻机意义才更大。
( z6 L. a; i0 B$ O) q4 i对于上海微电子来说也是如此，在当前任务排序中，相对于投资建立90nm光刻机产线，下一代的28nm节点光刻机已经在研几年了，这才是重点投资方向。
, K. g& T; B2 g8 a  l( ^8 q' \: [我们从目前国内做的比较好的国产半导体设备厂家北方华创，中微半导体等都能看出来，必须要把自己的设备做到28nm-14nm，中微半导体的刻蚀机甚至进入7nm以下的价格较高的先进制程，或者说主流制程，这样代工厂在财务上才有动力导入国产。
反过来半导体生产设备厂家才能真正的实现有意义的产品销售。2019年华为上了实体清单，国内群众都在支持华为，我也弄了两台P30 pro，其中一台给家人用，从中也可以看出问题，即使我们支持华为，买的也是新的旗舰机，如果华为现在卖的还是当年搭载K3V2芯片的P6，那么吃瓜群众支持其的动力也会大大减弱。
我为什么要提P6，当年我就极力推荐老婆买了一台，其结果她在实际使用中对华为手机留下了极为恶劣的印象，从而转变为苹果的忠实粉丝，让我损失了不少钱。
我们一定要以市场化的思想去理解技术的进步。
新一代的产品做出来了，即使对厂家自身，甚至对中国来说都是技术进步，但是不代表其有足够的竞争力在市场上存活，
/ }& b1 L' Z8 j8 z1 K$ s3 ~也即是不能在竞争中对买家带来更多收益的产品，不是真正的市场化产品。我们再以国内做离子注入机的烁科中科信为例子，
根据《北京商报》2019年11月27日的报道，
/ y7 l5 I* J0 ?0 X. E7 O% G0 _$ G" H烁科中科信自主研发的离子注入机正在进入国内各大集成电路制造厂商，其中中束流离子注入机CI P900系列早已通过中芯国际产业化验证,为实现大批量应用打下坚实基础。
2019年公司销售各型离子注入机达11台。
“经过多年的技术积累，我们实现了离子注入机这一集成电路制造核心关键设备在28nm以上工艺领域的进口替代能力和自主可控，具备年产30台离子注入机的能力。”
+ ?0 L& N1 b9 N8 a5 ^烁科中科信总经理舒勇东介绍说，研发的中束流离子注入机65-28nm工艺量产12英寸晶圆超过400万片，达到了国外同类型设备水平，产品已经批量进入市场。
大束流离子注入机工艺覆盖至28nm，65-28nm工艺量产晶圆超过20万片，高能机预计2020年底进入客户端验证。定制离子注入机主要针对6英寸及以下市场，设备应用比较广泛，可根据客户具体需求定制。
从以上也可以看出，中国电科旗下中科信在中芯国际进行产业化验证的设备，也是可以做到28nm节点的，这也表明还是要验证较为先进节点的设备，在市场化上才有意义。我们回到28nm节点浸没式光刻机的研发进度，
按照十三五规划的进度要求，2020年底我国以上海微电子负责集成，
3 F, G, ]+ E* y1 c0 r4 b需要研发出28nm的光刻机，这个时间节点已经可以从海量的公开信息中可以证实，注意从研发出来，到真正的实现量产，还需要1-2年的时间，我们可以按照2年的时间计算，也就是到2022年可望实现28nm光刻机量产。
9 X) T7 V! t4 H; G6 I% D4 k当然了光刻机这个东西，即使是ASML一年也就是生产几百台，上海微电子一年生产十几台几十台，就已经可以称之为大规模生产了。一般认为上海微电子是在孤军奋战，并不是，上海微电子其实是集成商，更多的负责总机集成的研发工作。
& T. d& |( e/ m& i' }& d例如在我国光刻机国家规划中，中科院给予了上海微电子强大的研发支持，负责了多个核心子系统的研发。
5 s# t' }* G) F& X; ~0 Y中科院在之前已经参与了不少半导体国产化任务，
$ ?) L9 Y8 W/ ^, l! Q# f5 ~我国目前已经在量产NAND FLASH的长江存储，就是中科院微电子所和长江存储联合开发的，例如长江存储工艺研发处副总裁霍博士，就同时是中科院博士生导师。
2003年北大微电子学与固体电子学博士毕业，进入韩国三星电子半导体研发中心存储器事业部从事闪存技术研发。
2010年回国加入中科院微电子研究所从事存储技术研究,
2014年8月进入武汉新芯集成电路制造有限公司负责3D NAND存储器的技术研发工作，再说光刻机，

国望光学于2018年6月1日正式成立，注册地为北京市经济技术开发区。
2019年7月，中科院长春光机所、上海光机所同步完成了对国望光学的无形资产增资。目前，国望光学的注册资本为30亿元，拥有近200项授权发明专利，
完全继承了02专项极大规模IC制造投影光刻机曝光光学系统一期研发任务所形成的全部知识产权。
- |! E4 `9 a0 A1 [$ i国望光学核心团队研发的我国首套90nm节点ARF投影光刻机曝光光学系统已于2016年顺利交付用户（备注：就是上海微电子）。
0 G9 q! y' Q3 v/ ^) B+ A目前，团队承担的02专项二期核心任务-面向28nm节点的ArF浸没式光刻曝光光学系统研发攻关任务进展顺利；
9 l* R. S6 o8 p$ k2 e( B4 y2019年下半年，国望光学将启动位于北京经济技术开发区B13地块的研发、生产基地的建设工作。该项目规划投资60亿元，占地近110亩，规划建筑面积13万余平方米，预计建设时间3年。全面建成后，国望光学将拥有110nm节点、90nm节点、28nm及以下节点极大规模IC制造投影光刻机曝光光学系统产品的研发、设计与批量生产供货能力。
与此同时，已研发成功的超精密光学加工、检测、装调装备以及正在研发的高性能显微物镜、紫外成像探测系统等产品也将陆续投入市场。此类高市场价值的衍生产品将与光刻机曝光光学系统产品一道共同构建起国望光学市场成功的产品基础。以上生产基地建设的时间节点来说，2022年建成生产基地并且具备量产28nm节点及其以下光刻曝光光学系统的能力，说明国望光学预估的28nm节点浸没式光刻机真正实现产线量产的时间节点是在2022年，
那么这和2020年28nm浸入式光刻机研发成功，
# j/ l, o/ G- J$ d7 f2 y- P2021年测试完成并且导入产线验证，
2022年实现28nm节点光刻机产线规模生产，并且自身实现可量产的时间节点是吻合的。尽管时间节点一般都能顺利完成。



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