国产并口PSRAM存储芯片EMI164NA16LM

英尚微电子

EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备，其中包含64Mbit静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设备核心的单独电源运行。

: n1 G* e$ }0 h特征
6 j: y2 b. J8 w1 j7 |6 Y•电源
-VCC和VCCQ电压：3.0V（2.7V〜3.6V）
•配置：64MB（4MBX16）
$ y% I8 e  I% l# D# c+ d; N•读取速度
0 R  ^4 x- D, N2 U1 X/ {-异步读访问：70ns
•低功耗
0 n8 R/ p/ y5 {6 {& w" y-异步操作：<30mA
-待机电流：<350UA（最大值）
•低功耗功能
$ n/ m1 T/ L+ J0 S, a- [0 f  n% j-片上温度补偿自刷新（TCSR）
/ R% U8 ^. n& H9 ~- d1 D2 }0 s•工作温度范围：-40°C〜+85°C（工业）
% J' w2 \& p% v, E( s3 {# Z+ o•包装：48 TFBGA（6.0x7.0mm）
: w8 n; L: s# r! O6 I3 b
6 m" V  `' k3 j* T7 [. U  P引脚封装

! T% }/ Q- U, \/ [1 J1 T" a* L

48 TFBGA（6.0x7.0mm）

% t% Q8 x+ ~0 a3 \/ G% O9 uEMI164NA16LM该设备是67,108,864位pSRAM，使用DRAM型存储器单元，但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4,194,304字x16位。

0 i* _5 c/ d6 c. W

% s  K* m% z$ ]* n6 x% U8 T

图2.功能框图

2 R$ j* P. K1 v功能描述
0 Q7 n( v; Y: U8 o64MB设备包含67,108,864位DRAM核心，组织为16位的4,194,304个地址。该设备包括行业标准，在其他LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口
- ?$ D! V3 E+ T' b; u: t

表1功能描述

& p) _! n" |' B  F1.当UB＃和LB＃处于选择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。
当仅LB＃处于选择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于选择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。
  M8 S& `$ |& j2.当设备处于待机模式时，控制输入（We＃，OE＃），地址输入和数据输入/输出在内部与任何外部影响分离。
1 U/ U8 b. P9 Y; f* a# z) _3.当我们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在内部禁用，对I/O没有影响。
4.只要更改地址，设备将在此模式下消耗有效电源。
5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是静态（未切换的），以实现备用电流。

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2021-3-17 15:39 上传

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: P* B' z1 O3 M* D关于EMI
0 h" U/ b3 G) [% l8 H" l) C- J安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子支持提供产品相关技术支持。
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