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楼主: P15L11
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哪位大佬能帮忙分析下这颗芯片能设计原理

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发表于 2021-3-1 21:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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8 w. A$ F' h$ g. m* C7 }: n$ K

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“来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-8 15:12
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-3-2 09:36 | 只看该作者
    你这是什么功能的芯片

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-3-2 09:42 | 只看该作者
    看起来是个二级RF放大器芯片啊。

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2021-3-2 13:47 | 只看该作者
    saladrf 发表于 2021-03-02 09:42:186 n7 T3 g+ x4 t/ U7 c
    看起来是个二级RF放大器芯片啊。

    5 h; F3 k" ^4 {$ j: g! Y
    6 a" R) V2 j# n% c大佬怎么分析、哪里能学到相关的资料?, }: E5 {# ]4 U% j7 @" Z

    “来自电巢APP”

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    5#
     楼主| 发表于 2021-3-2 13:48 | 只看该作者
    reasonant-j 发表于 2021-03-02 09:36:564 r( i" a& I: V, a# q. M) C( Q
    你这是什么功能的芯片

    ) q5 g$ S( F8 J: s% ?) C- e) j3 k/ ?1 T% X& p; N3 e$ t- F/ _! H
    不是很懂、只知道这款芯片带空气桥结构
    ' x% G% x: A# }: z; y

    “来自电巢APP”

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    6#
    发表于 2021-3-2 21:46 | 只看该作者
    应该是自偏置的mmic低噪放芯片

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2021-3-2 21:48 | 只看该作者
    Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:06
    . ]4 }+ o% y; B* m$ [应该是自偏置的mmic低噪放芯片

      I4 _+ u, s- ~6 i, H* F* }
    ' D, }/ C" \* i$ A2 lGaAs基底的PHEMT工艺- b3 R. N9 V4 f# a: D

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    8#
     楼主| 发表于 2021-3-3 17:16 | 只看该作者
    Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:48:05% ?' l" Z  q7 h1 Y- n9 Z" Z5 O# R
    [quote]Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:067 D# @3 s' G+ H' b
    应该是自偏置的mmic低噪放芯片
    " k* J* |! W9 J/ |
    , r' b% N, F0 x: F/ h' a& {4 j
    GaAs基底的PHEMT工艺
    $ i' k) r; [% }, q[/quote]* I; Y/ Z5 h6 Z3 Y, X: v3 h
    3 x9 C6 C# {; }* c
    大佬膜拜、能推荐几本相关的书籍吗?学习使我感到快乐????
    " Q" C6 O6 m. U- y$ R  j7 ]! y

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    9#
     楼主| 发表于 2021-3-14 10:16 | 只看该作者
    Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:061 r5 @8 M9 j  B8 S" \& y# m# H/ L
    应该是自偏置的mmic低噪放芯片
    0 j* a# m5 O+ d0 q8 k

    " I2 ?4 F* u$ Z大佬求解释(? ??_??)?
    3 o8 a4 Q1 ^; z2 e4 S7 G  [8 n9 c

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    10#
    发表于 2021-3-15 14:55 | 只看该作者
    P15L11 发表于 2021-03-14 10:16:49
    , V' A* R( D1 ^; v; m' P* |- H7 t[quote]Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:06
    ; `6 o3 B9 d+ B( g& w/ f应该是自偏置的mmic低噪放芯片

    . }  S2 u. U2 e0 |5 f$ C+ o, m+ f, T# X# L; ~, g
    大佬求解释(? ??_??)?
    0 a' j  Q  P3 [) h" {9 M[/quote]
    $ ]; F+ Z$ Q8 ?5 j: d( X0 O0 k
    5 A0 J% g* I: H) m不是大佬,可以找本射频电路方面的书看。我看的是《无线通信 射频电路技术与设计》,这个电路其实就是两个共栅场效应管放大电路的级联,其余部分是电路的偏置和匹配部分。: Y9 j/ _7 C' O( ~

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    11#
     楼主| 发表于 2021-3-16 09:58 | 只看该作者
    Tadotaro 发表于 2021-03-15 14:55:12
    . X: d% Y; R0 O6 o. N[quote]P15L11 发表于 2021-03-14 10:16:49
    ) X% K' E$ y# Z4 h: m[quote]Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:06
    " _9 c7 A5 A+ `应该是自偏置的mmic低噪放芯片
    ' G8 s+ ~; o6 n8 g- n: n: w  K# c
    8 F! [' H$ m% n  B  Q4 a
    大佬求解释(? ??_??)?
    - U& F  d! m, `5 Z% x[/quote]
    4 S4 T2 M  b) D$ s* g5 O. _% ^2 G' ?# e9 ^
    不是大佬,可以找本射频电路方面的书看。我看的是《无线通信 射频电路技术与设计》,这个电路其实就是两个共栅场效应管放大电路的级联,其余部分是电路的偏置和匹配部分。5 Y* t( U# Q- v4 G5 W: h+ t
    [/quote]
    " _, z7 `, }- p
    . }6 m$ y/ v" P& ^& ^6 B$ I/ g7 U感谢分享
    ! m6 `4 T- E) U4 g% M# ?- q# O

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    12#
    发表于 2021-3-16 11:30 | 只看该作者
    P15L11 发表于 2021-03-16 09:58:35. L+ P& d$ l  t2 X( l4 Z
    [quote]Tadotaro 发表于 2021-03-15 14:55:12+ o5 a& _3 o3 l8 c7 `  f- g
    [quote]P15L11 发表于 2021-03-14 10:16:49: a1 `1 ~! g( L, B2 n
    [quote]Tadotaro 发表于 2021-03-02 21:46:06
    $ d) K1 E# e) C; Z* ^, S应该是自偏置的mmic低噪放芯片
    ; Q5 ]- r5 I) G" C& _
      J! v' x! a+ G  E3 |7 n+ W
    大佬求解释(? ??_??)?
    ! @; r6 R6 L) G" E! u[/quote]
    # w5 t& r: B) Z9 q& j5 L5 V* F8 i5 N" R. `& @5 H
    不是大佬,可以找本射频电路方面的书看。我看的是《无线通信 射频电路技术与设计》,这个电路其实就是两个共栅场效应管放大电路的级联,其余部分是电路的偏置和匹配部分。
    6 v" d; h8 ?. c[/quote]
    " z, h2 k  j( o5 n4 q% v4 u7 Z8 `$ N
    $ h' y8 F2 R8 K3 a3 r( I% i感谢分享
    & M1 \2 e! f. c$ z" d[/quote]8 i8 M8 f8 B% X3 [

    + e% x" r* f" z- _5 p1 f说错了,是共源级的放大电路,源级通过电阻接地,栅级直接接地,这样当漏源之间有电流时,Vgs<0,实现场效应管的偏置2 B1 ]3 V5 k% Q

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