TA的每日心情 | 开心 2020-8-4 15:07 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
摘要:为了表征CMOS反相器的可靠性,从其负载电流和输出电压的特性入手,详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型,并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知,负载电流功率谱密度随频率的增加而减小,遵循1/f噪声的变化规律;得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深人研究1/f噪声与界面态陷阱密度的关系,验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性,证明了噪声幅值越大,器件可靠性越差,失效率显著增大,为评价CMOS反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法.( M7 ]0 J% c' R8 x0 w+ i
关键词:COMS反相器;低频噪声;可靠性;缺陷* Y2 d0 D- N& @ u( [
CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究.pdf
(3.31 MB, 下载次数: 0)
3 W- M# u$ @3 Q# v E7 L& b& ~7 k" D; o
|
|