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MOSFET应用参数理论详解(Infineon)

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发表于 2020-12-20 20:35 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:31 编辑
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  D: Z5 r% W6 f2 T: X

目录

1. 功率损耗

2. 漏极(沟道)电流

3. 安全工作区

4. 最大瞬态热阻抗-ZthJC

5. 典型输出特性

6. Rds(on)

7. 跨导

8. 门极门槛电压Vth

9. 寄生电容

10. 反向二极管特性

11. Avalanche特性

12. 源漏击穿电压

13. 典型的门极驱动

14. 开关特性

9 e$ t; D9 m! W' l3 v) M
MOS管设计参考

5 d7 n6 w( w( {; w: c* v9 `* M* ?4 i# L9 J' M5 O: n( X
# P7 F: ~0 {( F% q$ f4 X
MOSFET应用参数理论详解

  l, F+ K: I% C3 q0 I( @2 R7 k# |

MOSFET是开关电源中的重要元器件,也是比较难掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC软开关的设计中,对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透彻了,也就应用自如了。本文会从理论上对MOSFET的重要设计参数进行介绍。


; M+ f# n, X# {3 H3 o/ _

1. 功率损耗

MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温,基本原则就是任何情况下,结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定的。下图是典型的功率损耗与MOSFET表面结温(Case temp.)的曲线图。

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    [LV.8]以坛为家I

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    [LV.9]以坛为家II

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    :victory::victory::victory::victory::victory::victory::victory::victory:
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    [LV.3]偶尔看看II

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    发表于 2020-12-21 08:30 | 只看该作者
    感谢分享,学习了。
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    [LV.8]以坛为家I

    11#
    发表于 2020-12-21 09:04 | 只看该作者
    学习一下,谢谢分享" e1 M2 U4 d% M9 ~5 B6 b

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    12#
    发表于 2020-12-21 09:15 | 只看该作者
    学习,学习吧。

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    13#
    发表于 2020-12-21 09:27 | 只看该作者
    谢谢,麻烦看看
    . X7 d) e( Y- g1 C# r2 Z. m

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    14#
    发表于 2020-12-21 09:41 | 只看该作者
    11111111114 `; r" ^; u& M% \; X. A  g
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    [LV.1]初来乍到

    15#
    发表于 2020-12-21 09:42 | 只看该作者
    kan   kann   
    - ]8 }8 N4 L4 o, W
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    发表于 2020-12-21 09:54 | 只看该作者
    看看什么内容
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    [LV.1]初来乍到

    17#
    发表于 2020-12-21 09:55 | 只看该作者
    学习一下,谢谢分享
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