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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑
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简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
9 i, T, G# A( W# a' S% X% X% f——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
! z$ H/ d- w2 l9 N——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。* J6 ^# Y' p) T4 I3 \7 p/ L2 t
这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”% b e1 t- P1 K2 V# Y
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发表于 2020-12-14 09:21
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