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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑 6 H, T/ m* M1 {) n5 B+ z
- j: C, E+ ]2 }6 i+ y: J) }简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：* h+ J4 O1 ], x% B' x% v5 Y/ w
——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
0 B3 w- {0 c4 l( F' k. D9 e( q. B——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
6 K1 @& T. r; S% a这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”4 W9 G. ~5 u. ~- _6 v% Q3 K
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发表于 2020-12-14 09:21
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