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楼主: jacky401
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为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?【ADI】

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31#
发表于 2020-12-14 09:21 | 只看该作者
原理图中的电阻 RGATE
  • TA的每日心情
    难过
    2024-5-31 15:59
  • 签到天数: 84 天

    [LV.6]常住居民II

    32#
    发表于 2020-12-14 09:26 | 只看该作者
    看看,了解一下,感谢分享, @( f; {/ [6 @2 W0 w6 {5 T% K

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    34#
    发表于 2020-12-14 09:28 | 只看该作者
    我来学习学习~~

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    35#
     楼主| 发表于 2020-12-14 09:28 | 只看该作者
    本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑
    ) D0 D: I: r1 i0 B8 M: t4 r
    songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39
    5 B, X5 M  A( }3 X( y为啥?我还是没搞明白

    , `3 r2 i, W2 F, z$ h* f简而言之,本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析:
    + j5 e0 ?4 s( g6 A9 A/ I——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异,即在穿越频率时的相位裕量依次变好,这说明RGATE 值为 1MΩ,或 1KΩ 时,更容易产生自激震荡,而使用 100Ω 时,就能很稳定地工作。
    : X% t. e! h" L) Z' J8 F% e* c——同时,从时域来看,改变负载电流,RGATE 值为 1MΩ,或者 1KΩ 时,栅极都会有振铃;而为 100Ω 时,栅极电压无振铃现象。
    " G3 V6 m+ H. k* E- J: W6 I% T这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?
    . B2 U; V+ b- T9 L$ x2 e
    ; J( |: K1 x9 H$ g2 {
    ! g3 [' x5 ~6 ?3 d( ^
    . t$ v5 A0 Q' Y8 J$ ^! E: I# d
    " S' F6 \) `  M+ h% z6 p3 y* R
    ! w+ J; D6 X8 ~9 j/ h, |4 h  W, Z
    + N+ C. L4 f- ^% m( b* A! p, j4 R) `9 _+ {* R' Y  E5 n0 j

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    37#
    发表于 2020-12-14 09:32 | 只看该作者
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    38#
    发表于 2020-12-14 09:35 | 只看该作者
    xuexixuexi2 ^' A9 g0 W' J- G1 |* p; m5 U* J
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    [LV.1]初来乍到

    39#
    发表于 2020-12-14 09:36 | 只看该作者
    NGGFGHGGGGHGDG
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    2021-3-2 15:26
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    [LV.4]偶尔看看III

    40#
    发表于 2020-12-14 09:37 | 只看该作者
    MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻
    7 h- l' m# S- B) U: f1 h5 a

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    41#
    发表于 2020-12-14 09:38 | 只看该作者
    学习一下下!
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    2021-7-6 15:55
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    [LV.5]常住居民I

    42#
    发表于 2020-12-14 09:45 | 只看该作者
    没见过谁画图放100Ω啊     这个是什么特殊电路场景呢??

    点评

    文中已提到 —— 他告诉Gureux说:“真的没关系,因为现代器件已经解决了这个问题。” 更多的是我们了解解决问题的方法,类似的问题应怎么分析。  详情 回复 发表于 2020-12-14 10:47

    该用户从未签到

    44#
    发表于 2020-12-14 09:55 来自手机 | 只看该作者
    一百欧以内吧,太大了温度会不会超
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-8-4 15:09
  • 签到天数: 83 天

    [LV.6]常住居民II

    45#
    发表于 2020-12-14 09:57 | 只看该作者
    为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?
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