一种基于0.18-μｍCMOS工艺的新型超宽频带

Zjianeng · 发表于 2020-12-4 10:07

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摘要：本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路．混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术，具有宽带宽和高转换增益．该混频器采用ＴＳＭＣ０.１８-μｍCMOS工艺设计并制造，芯片总面积为１.６７ｍｍ２．测试结果表明：混频器工作频率从８ＧＨｚ到４０ＧＨｚ，中频频率为２.５ＧＨｚ时的转换增益为－０２ｄＢ至４ｄＢ，其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于５０ｄＢ．整个电路的直流功耗小于３２ｍＷ．关键词：分布式混频器；宽中频；栅注入混频器（ＧＰＭ）；功率合成；毫米波（ＭＭＷ）

由于毫米波（ＭＭＷ）频段可以提供足够宽的工作带宽，毫米波技术被广泛应用于射频光纤（ＲＯＦ）传输，无线高清（ＷｉｒｅｌｅｓｓＨＤ）和无线个域网（ＷＰＡＮ）等高速无线通信系统中．毫米波集成电路已经成为当前研究的热点．以往毫米波集成电路设计主要是由ＧａＡｓ和ＩｎＰ工艺实现的，近年来，随着工艺制造技术的发展，晶体管的特征尺寸持续缩小，ＣＭＯＳ工艺的特征频率随之不断提高，ＣＭＯＳ工艺逐渐应用于毫米波集成电路设计．此外ＣＭＯＳ工艺所特有的低功耗、高集成度和低成本的优点，促使其被大量用于毫米波甚至更高频段电路的设计．
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Anda · 发表于 2020-12-4 11:15

低功耗、高集成度和低成本的优点

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[毕业设计] 一种基于0.18-μｍCMOS工艺的新型超宽频带

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