TA的每日心情 | 开心 2023-6-2 15:15 |
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签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
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本帖最后由 Blah 于 2020-11-23 14:18 编辑 " w) n: _) |$ v$ K4 Y* D
- C* ^* }) Y, t" q& N' L- @( v; a此外,提高电容的因素还会导致绝缘电阻的降低。为了说明这种趋势,我还针对几个额定 10 V 电解质电容器,绘制了绝缘电阻与电容的比值图。[1] 见图 3。
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/ S" E/ F# V H在相等电压额定值下,电容器越大,电容器绝缘电阻越低
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电容器的绝缘电阻通常取决于电容器的额定电压,但不是所有应用电压都一样。& \% T$ S4 Y" Y6 r+ A4 x* y/ [* ~
因此,通过电容器的泄漏电流会因应用电压而发生极大的变化。[2](见图 4)
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1 ^9 ^- I. z0 U& U+ Y, iDC 泄漏在极大程度上取决于应用电压
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通常,在 40% 的额定电压下,泄漏电流将降至其额定值的 10%,如图 4 所示。因此,既可提高电容器电压额定值,降低泄漏电流,也可转换至超低泄漏的电解化学类型。[3]; O C/ Q8 Q9 t6 g5 Y4 K
我通常采用聚丙烯薄膜电容器实现低泄漏耦合应用。如果我真正需要低泄漏,我就会去我同事 Thomas Kuehl 的办公室借真空电容器(图 5),尽管 47 μF 的真空电容器会很大!8 U7 u3 I1 }3 U: K% V; C" A
图 5
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50 pF、20 kV 的真空电容器
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6 x4 z; [4 j5 r' S N4 x- C' n在调试电路时,通常原理图上没有诸如耦合电容器绝缘电阻等组件,这就会带来问题。无源组件将在理想模式下工作的假设,只是我从我努力成为一名专家过程中了解到的众多错误之一。我不知道我的下一个错误将是什么。 |
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