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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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8 j. `7 v+ j- u) I f; n目录- U/ e/ J( |2 E
1. 缓启动电路常见方法
" ^* I& n4 Q, \/ h8 c2. NMOS缓启动电路
7 i+ e5 ?/ O. d" z+ _2.1. 基于缓启时间的参数计算; o( Y" \& I, H
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算: s/ v& L4 L7 N0 o( S0 U
2.3. NMOS缓启动电路仿真$ ^3 N/ m: C3 F* A( k
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较# X4 {, f8 j4 Z' }7 |' [
: K+ I6 [' b/ i& d9 i7 MMOS管设计参考' ]+ Z5 P6 o/ c: q& n
3 ]& g Q# n; @$ b
$ H% @' A5 u D% q
+ |0 ?& e8 Z9 J+ B: ^$ c. MMOS管缓启动电路参数设计与仿真
; U5 E" l1 [) |/ s8 U* O Y' ^ ) F7 @# t) |! R# H: K
1、缓启动电路常见方法4 f0 F, `9 Y- W, Y! _* i0 o- q
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路
3 G) k+ K8 t# Z$ t6 a! t7 b D, a5 o 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。
; j2 L0 a; i; y" q7 ~ C: S/ Z$ d
$ Z8 g! A1 u* s) j/ Q* r$ p
图 2 串阻缓启动电路
/ X1 D( p3 @: r) W% M2 _7 | 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。3 P7 |3 x# Y W; `8 d
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图 3 NTC缓启动电路 9 y1 y& `8 a/ ~
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）3 y2 j; T2 r7 w
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
* ?: H6 `- Y$ T 图 4 NMOS管的转移特性曲线
+ t" W! N- n1 _; [/ J2 u' B 2）MOS管的米勒电容效应
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发表于 2020-11-1 20:05
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