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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录
4 z- m: \: D4 X' [6 F* h6 F. b1. 缓启动电路常见方法/ S0 }# j4 h1 g$ V/ N8 ` n
2. NMOS缓启动电路
9 c8 ?: T' H4 d3 I+ x2.1. 基于缓启时间的参数计算) o l& z) f$ e2 B. |) P
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
* t# T5 o8 [3 A4 V2.3. NMOS缓启动电路仿真
1 i: w# y4 y* s3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
9 E. X3 L& z2 ?1 I) f8 e; f! X% a( A1 {9 }% F# ^; ?# |
MOS管设计参考
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3 G5 h" o' {% R1 W; S6 B
/ }& ^( T$ V5 t1 `7 b# `1 s1 YMOS管缓启动电路参数设计与仿真 g2 @: S9 ~; V$ [$ a1 v" L: W
3 ~2 ?7 v+ B; k8 l/ W) O( g8 }1、缓启动电路常见方法% I3 |1 I% |9 C: a2 y* @/ x8 W4 R# K
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
6 Z& ?# t' l5 y q0 }5 V- v 图 1 电感缓启动电路
) C9 L5 N7 p* Z 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。
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2 c: u! ^( T+ z0 y8 f0 Z 图 2 串阻缓启动电路
# g/ }5 t3 J E, B 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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) p0 R1 E6 D2 Z; Y 图 3 NTC缓启动电路 . f9 |+ ^, K" U( W* p; R( I
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
$ R* c( f7 u. I. Z7 U; ? 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
7 Q5 Z3 Y4 s' U5 ?8 {: {$ i 图 4 NMOS管的转移特性曲线 & M% U2 j$ O4 B7 {# q
2）MOS管的米勒电容效应$ g: }* F* O- D
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发表于 2020-11-1 20:05
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