老哥们请看看这是为什么？

panxiping1

电压转电流的电路，当输入为0V的时候为什么仿真图中第一级的运放负脚电压会是1.7V，而实际该脚电压很小接近于0V
9 E) O5 K2 Y8 }, w. {( E0 {

rural

就算实际有误差，但也不应该这么大呀！我还没遇到这种情况，帮你问问我师傅。

panxiping1

rural 发表于 2020-10-12 11:27
就算实际有误差，但也不应该这么大呀！我还没遇到这种情况，帮你问问我师傅。

" D* f  X: a) V2 @* x这是一个DA电压转电流的电路，按照仿真来说 输入为零的时候 输出端就有8mA左右的电流值了。然而实际电路测并没有那么大仅仅只有零点几个mA.我量了实物电路发现原因在于第一级运放的正负两脚电压和仿真不同.

1776788475

仿真时，把运放放大倍数调到10000看看。

1776788475

到200000试试

panxiping1

1776788475 发表于 2020-10-13 16:12
仿真时，把运放放大倍数调到10000看看。

4 k4 p8 X7 d% J2 |% _哪一个是开环增益呢？
# X6 u" {2 K7 Z* y/ a* k. C
*

( U& R  k# _+ h! n* |$ C% n$ U. [  C1   11 12 2.887E-12
  C2    6  7 30.00E-12
+ }1 L# r1 L  k- v9 ^7 d  DC    5 53 DX
4 d- X. ^) m% B, D7 d  DE   54  5 DX
$ [$ |: J: \& W  DLP  90 91 DX
  DLN  92 90 DX
2 q) x( k$ C8 C4 d" C7 R  DP    4  3 DX
  EGND 99  0 POLY(2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5
  FB    7 99 POLY(5) VB VC VE VLP VLN 0 147.3E6 -100E6 100E6 100E6 -100E6
! N5 [, u7 m3 F. k( s+ n  GA    6  0 11 12 113.1E-6
  GCM   0  6 10 99 56.69E-12
  IEE  10  4 DC 7.501E-6
  HLIM 90  0 VLIM 1K
, i% d$ M( f/ U2 F  w+ [+ d# C1 E  Q1   11  2 13 QX
6 i3 F# ^/ L# g/ s  Q2   12  1 14 QX
  R2    6  9 100.0E3
  RC1   3 11 8.841E3
  RC2   3 12 8.841E3
! I6 }) z9 p8 _9 K$ d9 `' ?  RE1  13 10 1.943E3
  M' ~$ f) u9 R2 Y4 ^2 W  RE2  14 10 1.943E3
: c+ z5 }& `( h; L2 l! z  REE  10 99 26.66E6
  RO1   8  5 30
  RO2   7 99 30
  RP    3  4 12.04E3
' H5 t. v5 `8 ~9 P3 `  VB    9  0 DC 0
  VC    3 53 DC 2.900
6 Z- S& ~+ {# P0 y9 L  VE   54  4 DC 2.900
  VLIM  7  8 DC 0
) c, Z1 U! _0 j* ~9 p) Y0 m& C0 a  VLP  91  0 DC 20
  VLN   0 92 DC 20
3 e' e. O( a, |: @.MODEL DX D(IS=800.0E-18)
, P& R1 |7 p* g  v5 p% f# f# R5 R.MODEL QX NPN(IS=800.0E-18 BF=5.357E3)
2 N6 n, g; s8 R% W

panxiping1

不知道为什么，同样的电路换另一个原始库里的运放0输入时对应的输出端电流确实是不一样的，莫非真的是开环增益不同？我挑了两个不同的运放，他们的参数各有不同，不知道哪个是开环增益。

panxiping1

第一个是OP07CD，0输入对应输出电流不太理想的运放，模型参数如下
. k5 b6 O0 X* m*
  C1   11 12 2.887E-12
  C2    6  7 30.00E-12
  DC    5 53 DX
  DE   54  5 DX
+ u* M* C; B/ x- @7 f; k  DLP  90 91 DX
! w# r. L1 S" D3 }5 a  DLN  92 90 DX
2 m0 X3 F- e2 ?  DP    4  3 DX
& D1 m3 d) G8 ^! Z* e  EGND 99  0 POLY(2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5
  FB    7 99 POLY(5) VB VC VE VLP VLN 0 147.3E6 -100E6 100E6 100E6 -100E6
  GA    6  0 11 12 113.1E-6
1 I1 w) f" b! g) r  GCM   0  6 10 99 56.69E-12
2 R. n$ m. T9 ]" x! B) H# G  IEE  10  4 DC 7.501E-6
, x# e' w. B* R% c1 C  HLIM 90  0 VLIM 1K
9 j) ~$ I+ D1 ^( Z0 i* q3 j  Q1   11  2 13 QX
2 K8 l- i# ^9 |6 Q% z  Q2   12  1 14 QX
  R2    6  9 100.0E3
4 \1 H$ b# T" e( P6 `1 c$ b2 V  RC1   3 11 8.841E3
  RC2   3 12 8.841E3
  RE1  13 10 1.943E3
; n8 j& Y  Q) G" e* a% v' K  RE2  14 10 1.943E3
  REE  10 99 26.66E6
  RO1   8  5 30
  RO2   7 99 30
% J  F8 p+ |6 c# |4 v$ e3 s! o# S% I  RP    3  4 12.04E3
1 n1 G. r' i' f) ^) R  VB    9  0 DC 0
, e2 X# W6 Y8 a% {% r1 I6 }# s  VC    3 53 DC 2.900
  VE   54  4 DC 2.900
% A9 y# r3 i3 _# N7 Z  VLIM  7  8 DC 0
! \1 J1 ~4 F2 i. @6 U1 Q4 u  VLP  91  0 DC 20
$ [. Y5 W! }, p9 y$ w  VLN   0 92 DC 20
.MODEL DX D(IS=800.0E-18)
- P) @# ~7 t; b.MODEL QX NPN(IS=800.0E-18 BF=5.357E3)

panxiping1

第二个是MAX44252ASD+，0输入对应输出电流相对实际电路较理想的运放，（实际电路运放是LM358这颗很普通料0输入电压对应输出电流和MAX44252一样看上去，0电压对应的电流很小）模型参数如下
*.subckt MAX44251/MAX OUTA INA- INA+ VSS INB+ INB- OUTB VDD
( q# j5 v7 C5 x& A# IXop1 OUTA VSS INA+ INA- VDD opamp
*Xop2 OUTB VSS INB+ INB- VDD opamp
*******************************************
***
.SUBCKT opamp 201 18 17 15 10
1 S; [% h7 K! F+ ]0 e***************
! Z3 G: C  ?- _3 k* Q" _+ a*INPUT STAGE
4 B) D( C' J- nVS1 10 11 0V
GBIAS 11 12 304 100 179.25U
M1 13 16 12 11 MOSFET
4 H/ j, f5 Y1 q, L( i) zM2 14 15 12 11 MOSFET
$ ~! o4 r5 j' _DBIAS 18 12 DY
1 Q! o+ U9 d/ MVOS 17 16  3u
( |/ A4 H( x5 ~. F: K; X$ p  ]RD1 13 18 1K   
' S9 o2 T& h0 N) hRD2 14 18 1K
: y1 P+ w7 L& D3 m# JC1 13 14 2P
CIN1 16 100 10P
% |2 F0 p9 e7 F# aCIN2 15 100 10P     
DIN1 16 11 DA
DIN2 18 16 DA
DIN3 15 11 DA
) `6 J' ?  ]8 M/ g5 MDIN4 18 15 DA
FSUP 18 10 VS1 1
3 b9 N8 f' D5 i0 y7 ~' fE103 103 18 10 18 1
**************
  _2 y1 F* e  _; R2 `*INPUT BIAS CURRENT
IBIAS1 18 17 -401.5P
7 u" C% P. F8 R1 wIBIAS2 18 15 -0.5P
GBIAS1 17 18 10 18 1p
# d' J' Y8 u: i# PGBIAS2 15 18 10 18 1p
RID 15 16 1000G
2 r5 D4 C% @- A/ N5 Q/ N1 `**************
) h" i3 ]2 D, O**************************************************
*GAIN STAGE
GA 25 100 14 13 51M  
9 c$ q  B2 F: ARO1 25 100 2.95k
GB 26 100 25 100 1410M
RO2 26 100 1K
EF 27 100 26 100 1
9 |( t( `4 y0 @! w; M. M" dCC 25 27 70P
+ _7 h4 H1 ~8 M& BEF2 29 100 28 100 1  
5 R( B( P' |7 V* i: `- HGC 100 28 26 100 42.16M
) Y% I$ N2 L+ J3 d, g% qRO3 28 100 2.7K
% m9 r9 D& v  r3 E8 E, D8 \CC2 25 29 1800p
$ D* ]4 L3 D1 t% K! D( d- Y' ERO4 28 30 20
9 t: Z! M! A# X* nGCMPS 100 25 40 100 393.5U
; N% `9 q$ f0 V8 i( k& [**************
5 V! @; l1 t8 k; q! ^% B& ?9 T$ B*CURRENT LIMIT
DP3 26 38 DY
EP3 38 100 10 18 185M
; L2 F+ {6 s- a8 K3 jDP4 39 26 DY
EP4 100 39 10 18 185M
/ V8 \# R3 i5 M4 r, |**************
*INTERNAL GND
EG1 100 18 10 18 0.5
9 q; d' g/ X8 d& z. n4 ^) _3 {5 M**************
# x3 l+ c; u* _3 z( \*VOLTAGE LIMITING
- b7 {9 E6 J; ?) I5 }4 G5 A* CVS2 30 31 0V
3 k4 f: M2 z4 E* R- q*****
+ X6 C: s; ]8 n# eDP1 30 32 DY
) m# F) `" w7 ~4 VHP1 34 32 VS2 17.72
EP1 34 36 10 18 0.5
3 Q6 S( v& G" ?& s  i6 AVOFF1 100 36 12M
*****
DP2 33 30 DY
' @% b' Q, Z+ q0 GHP2 35 33 VS2 14.43
/ j& g% M+ l3 d* n- zEP2 37 35 10 18 0.5
VOFF2 37 100 12.8M
***************
*CMRR
RRR 40 100 1
( v0 h5 T; s. G# m# eGCMR 40 100 12 18 50U
GPSR 100 40 10 18 16U
***************
*SUPPLY CURRENT
ISUP 10 18 -1.1m
GSUP 10 18 10 18 -10u
***************
*FOR SHUTDOWN
6 R0 l: b' W3 J& y" eMEN1 171 172 31 10 MOSFETP
MEN2 171 173 31 18 MOSFETN
EEN3 170 172 304 100 10
EEN4 173 170 304 100 10
6 c- w- I$ f* `$ BRSHUNT 170 171 10MEG
9 B/ k6 h4 q' f4 U: TVIS5 171 400 0V
0 \4 k" ~1 H; o# e' IR171 171 18 100k
D401 400 401 DY
D402 402 400 DY
D403 201 401 DY
D404 402 201 DY
- W& M7 i8 j# [+ ~6 ^% yI400 401 402 58m
% h+ C* r& x% [& n5 h3 @/ b********************************
RSH 103 18 500MEG
ISH 18 103 10NA
DSH 103 10 DY
3 m2 T1 a! g$ T3 F3 bCSH 103 18 10P
& [, s! n( `8 W8 m0 y, }2 w( q8 V5 G**************
' G) m4 u, y6 N' JEEN2 300 100 103 18 1
7 `5 U: D/ g' K; T  K0 cREN 300 301 10K
! J8 c1 |! ]$ j: B) k8 a$ a  Z$ kVEN 301 302 0V
5 p! a0 _/ q) \, K% y" l: GEHYST 303 302 POLY(2) 10 18 304 100 0 0 0 0 0.4
- E; G7 G* R6 t: _- VEEN1 303 100 10 100 0.7
**************
FEN1 100 304 VEN 12
3 L8 w  R, l1 [, n/ j' {: _' qCEN 304 100 1P
$ L( ]0 \/ b9 fDEN1 100 304 DY
DEN2 304 305 DY
VLIM1 305 100 1V
; L! S5 w$ V) x8 x& }**************************************************
.MODEL DA D(IS=100E-14 RS=0.5k)
.MODEL MOSFET PMOS(VTO=-0.2 KP=29.3E-3 KF=32E-27 AF=0.8)
/ q4 \$ ^- u1 a* L/ q8 s$ Z.MODEL DX D(IS=100E-14)
.MODEL DY D(IS=100E-14 N=10M)
4 {7 B1 n, L% v: G( D; s, J, c.MODEL MOSFETP PMOS(VTO=-5.0  KP=88E-3 GAMMA=0.01)
.MODEL MOSFETN NMOS(VTO=5  KP=88E-3 GAMMA=0.01)
9 m. x! C# a! C2 c6 e**************************************************
.ENDS

panxiping1

panxiping1 发表于 2020-10-18 23:47
第二个是MAX44252ASD+，0输入对应输出电流相对实际电路较理想的运放，（实际电路运放是LM358这颗很普通料0 ...

MAX44252对应电路

1776788475

你查下那个是开环增益。

panxiping1

1776788475 发表于 2020-10-13 16:14
0 V: T3 r7 B% v5 u! J到200000试试

Multisim的模型参数不会改，后来用德州仪器的仿真软件试下了改开环增益，对结果现象没有本质性的改变。只是0V对应的输出电流稍有变化而已。所以应该和开环增益无关。
" h5 A9 K) p/ u

panxiping1

感谢 TI的FAE（苏州）的帮助，应该确认是输入输出偏离轨的差异造成的。