锗二极管的死区电压_锗二极管与硅二极管有何差别

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什么是锗二极管

　　锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

　　锗二极管的死区电压

　　锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；

　　硅二极管导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。

　　锗二极管与硅二极管有何差别

　　硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：

　　1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。

　　2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V， 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。

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硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多