晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 全新原装

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深圳市明佳达电子公司   现货供应   晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 全新原装   质量保证   量大价优    有意者欢迎致电咨询

5 X; Y& t, q* m: b' i: M
晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 ：
品牌：DIODEOS
封装：VDFN-8 / SOT-23-3 / SOT-23
; ^; d' m* P+ F5 ~2 e- B* C5 u" y批次：新


; \7 U/ d+ ]: y产品参数：
DMP3017SFV-7 ：
7 \8 E( Y  |. XFET 类型        P 通道
9 q& _# }0 {! G, d技术        MOSFET（金属氧化物）
# b9 O4 T2 ^5 F漏源电压（Vdss）        30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        40A（Tc）
9 V" K; x! o+ U+ _% X; D驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）        10 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）        3V @ 250μA
* f2 }, S/ L8 k不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        41nC @ 10V
. ~6 H# I3 q, N5 f( K( [/ @2 hVgs（最大值）        ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）        2246pF @ 15V
2 k$ W+ c- K9 q, w- Z3 XFET 功能        -
3 @" @! j9 u' A; b功率耗散（最大值）        31W（Ta）
工作温度        -55°C ~ 150°C（TJ）
2 G8 I. ~+ n2 s+ P安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        PowerDI3333-8
+ \9 r$ N* }. F5 `封装/外壳        8-PowerVDFN
9 j9 {  i2 f, G. ]+ y, w

; v1 J' }" S( u* {
% M. s$ c+ c! CDMN3404L-7 ：
FET 类型        N 通道
6 A' d- v; }) j; K+ _技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        5.8A（Ta）
3 a' W9 U" x- }: s$ K驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）        28 毫欧 @ 5.8A，10V
: W4 t2 K- N. @+ s1 v8 i- H& F不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）        2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        9.2nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）        386pF @ 15V
/ Y% ?' h$ o/ n$ C3 N( s/ N6 XFET 功能        -
功率耗散（最大值）        720mW（Ta）
工作温度        -55°C ~ 150°C（TJ）
( t0 B# _2 M) p+ E3 v安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        SOT-23-3
封装/外壳        TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

5 ?* t, @$ |' l  Q8 O) v
2 B3 y4 R  g% x; q* ]
DMN6140L-7  ：
FET 类型        N 通道
# h# m# ~& r- m技术        MOSFET（金属氧化物）
0 ~. U" _0 r# \! X) o7 |' l, |漏源电压（Vdss）        60V
8 h* W8 o) l% Q4 R6 i8 {) d* u25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)        1.6A（Ta）
$ E- g9 D$ {' Z1 \  @* l4 a3 X/ d6 I. P驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        4.5V，10V
, M' {! _. R, Y1 O3 _不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）        140 毫欧 @ 1.8A，10V
& C* y. U0 y7 ~; C' r/ L( L不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）        3V @ 250μA
$ e& v  J* c* {$ u3 I+ m不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）        8.6nC @ 10V
Vgs（最大值）        ±20V
( X2 l* T* C: }5 J9 |' V: L, u不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）        315pF @ 40V
$ n/ |" A; Y' L. {FET 功能        -
功率耗散（最大值）        700mW（Ta）
' S/ X) @" v6 y" D4 I  I" ?工作温度        -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        SOT-23
封装/外壳        TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

8 B* u( I( w2 {- A& H3 {
' D  g* s' Q6 S% l+ N
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/ f" H: C1 a5 X0 T/ v" E& m' yBGU8019
RT9069-33GB
5 Y# T% d5 N3 R$ {1 VTCR2EF30,LM
DMP3017SFV-7
MMDT3906
8 S) G4 Y7 O+ _$ O* @G5017B11U
CY7C65210-24LTXI
6 S0 B* A3 m, p6 l  Z( h3 \$ KAP2821KTR-G1
MBR140SFT1G
0 q/ m  c" E! Q/ t+ n+ n% F( G6 cRCLAMP7524T.TNT
DMN3404L-7
: F( a* _/ m& F+ c' {$ ~PH0925CL
) Z/ p8 p* v/ n. g1 a* O' \) Z5 FPJA3405
NTR1P02LT1G
NSR0130P2T5G
8 z% ~. d6 v/ E; cMBT3946DW1T1G
: ^: N' `* _4 V: c/ dNC7SZ175P6X
+ E- N6 H" R) M: r8 ^/ t1 _, vDMN6140L-7

: Q: ^8 u4 y  b6 u
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