TA的每日心情 | 擦汗 2022-5-4 15:52 |
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深圳市明佳达电子公司 现货供应 晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 全新原装 质量保证 量大价优 有意者欢迎致电咨询, d5 M7 P b$ ?: Q. p2 }+ K
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9 m u: v' t; N晶体管 DMP3017SFV-7 / DMN3404L-7 / DMN6140L-7 :# D& p4 }) N; v( B, t) G2 M' z" c
品牌:DIODEOS
P" t; I# K, x封装:VDFN-8 / SOT-23-3 / SOT-232 K+ k9 e! o/ G2 d
批次:新 R' ` @: B% I4 {3 @! Y, a; q6 p
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# p" R- r: ~" ?9 U; t6 R# k产品参数:
, h y& u2 p* w. n4 l3 HDMP3017SFV-7 :
) v y9 q3 R/ z/ a; `FET 类型 P 通道
3 F3 _% O( ]' K9 c8 E& y技术 MOSFET(金属氧化物)" q1 ~: @% u( G6 Z: I/ W1 ^
漏源电压(Vdss) 30V0 J1 t; o. |% d' t
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
/ o5 h2 @4 `3 \" M. t2 k驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V, o6 G4 B4 p- X! Z/ n$ Y: [
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 11.5A,10V
, {3 B! m8 p, C1 M6 g- v' A不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
) e7 x* n# i: h, `0 d3 z+ G不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V
: q& }) O) R- J; \8 JVgs(最大值) ±25V: I. [- |. _7 y2 W) o3 ?; f5 J4 k7 v
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2246pF @ 15V
0 v$ p9 ]3 i$ ^4 f! J; lFET 功能 -5 n3 X! p) z8 Z( ^0 w. \
功率耗散(最大值) 31W(Ta)+ z4 K. l& _, s6 }# N* |1 m
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
) }, q7 t2 g2 j" _7 v+ c安装类型 表面贴装型
! |! \! L/ T, ?# M供应商器件封装 PowerDI3333-8
( E# k5 @. @% Y, x$ q封装/外壳 8-PowerVDFN
) J8 {9 u3 _$ J0 K$ Q- ]
6 V& H; Z4 c; k) }7 T) D6 j
/ x( H ]( P+ w+ b+ R C# g: F" Y3 s& K3 ^1 i' A
DMN3404L-7 :. G: D! N' V! @
FET 类型 N 通道
1 K8 J" d: D9 L( M$ z$ F8 |技术 MOSFET(金属氧化物)( o, t ]% i9 z' n
漏源电压(Vdss) 30V
0 s$ @! A" t7 ]# w S R1 [25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)- E# d$ }% S0 t# u& c4 a$ {
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V
; ~; V) |1 ]1 S, F不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 5.8A,10V4 X2 {" s% m' s/ G
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
( D) I: v) h- T3 P z不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.2nC @ 10V
# Y# ?4 K8 Y8 `+ A! n7 u9 E5 n- HVgs(最大值) ±20V
" a5 f9 [9 v2 Y0 i不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 386pF @ 15V2 a. x% e3 j( |4 v
FET 功能 - {" \# q1 Y0 i/ z! B' ^
功率耗散(最大值) 720mW(Ta)
* K) F+ e2 ?+ X6 a) Z ^# V工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ), t* k' k Y3 K* F, J+ |
安装类型 表面贴装型
: v( k# p% q B" D. H; w1 X供应商器件封装 SOT-23-3
+ ]1 u$ e% W7 b+ {% m封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3, f2 R: |3 e4 T! ]! D+ z8 v
2 {# u0 }- P \/ P
$ l2 |! [* J3 d* f
8 m3 R& y3 x& i& Q6 I8 B. d7 fDMN6140L-7 :
. t5 u8 n+ P) N1 f$ _) q& AFET 类型 N 通道
, b$ w4 V: D& K( o技术 MOSFET(金属氧化物)
7 D) m; _" U% Y5 }: N) n: @漏源电压(Vdss) 60V
. }, E! {+ h; ^; ^; l8 T5 z- }25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)7 w0 C5 T. O# V* e) O" N% e! V# @5 Z
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V1 e. Q% x7 _" }! ?4 X
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V0 c( R% K1 T' Z9 s9 A* J$ c, J
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA" k- @9 @4 _* b
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 10V
" G% t/ s- x& ^. l2 v( w3 T' VVgs(最大值) ±20V/ ^ g, C# a2 W7 R; U: h, D+ G$ m7 s9 I
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315pF @ 40V' ^( n6 q, O; o& G6 J+ C
FET 功能 -
, E9 l" Q' f8 n1 e功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
7 z3 B: w7 ?5 D6 u工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)( U7 ^: {/ G, ^; s* k
安装类型 表面贴装型2 T& B/ o4 Z3 [4 U
供应商器件封装 SOT-238 }% I5 W' S: w3 \8 D1 e% i
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3) @4 j& m4 E+ ^7 w' ]
/ y; f! `# L: _! A0 q( A8 [9 ~3 ^' y! Y* V) C! _ K) I' @
% \, Z& N) O. N; _7 `
公司还长期供应以下型号:' }/ X$ j4 q) S0 M# Q3 D
L6230QTR( p) G# b' p7 N1 V2 V( s
NC7SZ14M5X
, h9 A) s# J! s9 k: |BGU8019
( F# ~' ]- Y" a. \6 Q- |/ ?RT9069-33GB: i' T& c% Y' }8 ?- k7 J
TCR2EF30,LM# j/ A* P4 E9 ]# C+ R3 I
DMP3017SFV-7
/ m3 ]7 @' [# x2 E* e) p# j7 f' Q( C+ iMMDT3906
: J/ J/ J" v0 e3 |# a' oG5017B11U
6 I3 D2 y' [; g4 `. E+ k6 v! b0 b& R. YCY7C65210-24LTXI
) J: r6 u- e+ I( KAP2821KTR-G16 H6 e* u/ ?7 [7 s
MBR140SFT1G5 ?' g( Z) W) `4 M3 O
RCLAMP7524T.TNT: Q$ R U; ]0 q* o% E" H
DMN3404L-79 ^" e6 F# j/ x+ r' L0 k& K6 H9 D" e
PH0925CL& P2 \- B9 H+ f2 a9 |
PJA3405# E: A6 t7 D N* U1 K. ] C( b
NTR1P02LT1G
' g. ^8 |6 ^0 N$ xNSR0130P2T5G
$ V/ b0 Q. q4 h. r0 e8 \0 yMBT3946DW1T1G' t+ h% a2 @( y
NC7SZ175P6X! R w: _, }7 Y& D# ]
DMN6140L-7. o/ L: q& Q2 |* W5 d
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1 ^3 Q$ ~6 z7 D" L) z2 O感谢您关注我们的产品,价格方面由于浮动不一,请以当天报价为准,有兴趣的商友,欢迎来电联系我们,我们将竭诚为您服务!!!7 b4 j4 D+ u! t; h \" q9 [" g& K
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