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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
3 i- X- R' s$ {6 Z- B6 W
0 A' Y) E2 z2 s2 k% E: Y目录" h6 q6 n5 }# V
1、DDR4 关键技术
6 V, v' e) g' o+ p* G* l1.1、DDR4与DDR3 不同之处
, U2 @8 [" u+ N1.2、POD 和 SSTL 的比较
) o9 X. M; T2 N" q1.3、数据总线倒置 (DBI)9 \ B2 L6 y4 \! i& U4 N6 x5 ~. R! d
1.4、ODT 控制9 c1 ] j, l. v9 L. U& K2 P
1.5、参考电压 Vref
! R8 }' C# d5 V8 s2、DDR4 Layout Routing 新方法5 {+ r! R+ S: H& `0 k6 G( _: f
2.1、DDR4 信号组* f z; \1 U: W6 l' @
2.2、DDR 信号等长约束# @8 N% f: U7 K! H' [
3、DDR4 Simulation( ^7 s) H$ L9 N5 H% N
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
- W0 I% T s1 G! l" h" M3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
9 N$ j" h+ K, F9 [2 n2 m: m3.1.2、Data信号Stub的长度: y4 k, ?% k7 A7 ]# }; A
3.2、Intel SISTAI仿真8 o+ N9 X l- N+ Q1 }
3.2.1、DDR通道建模) Q# g8 Q; j& P3 O5 x8 w
3.2.2、Hspice仿真% }7 }( i2 j* s+ ^# i( k9 F% N
3.2.3、SISTAI仿真
+ q3 G ]2 F. P4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
! q+ }! i& r/ n% j. T4.1、设计情况! Q/ _. f! Q; \2 h& d
4.2、问题描述5 S, A2 D7 |5 j" X
4.3、Memory Margin Test0 G5 a. w* J4 }& W0 l3 \
4.4、问题分析3 v; @: `" X# H% Z- X
4.4.1、Micron 8G 本体分析
1 b8 P# }& S! E: {7 K+ G4.4.2、通过Simulation来分析问题
: |1 ~. g0 ^/ A' W6 b* L: r5、小结
1 u. y6 S5 f7 a) K. g: W
3 s2 H% @2 O( m2 F/ v参考链接： r" Y, W: R2 z
+ Y7 M. t9 d! R7 E- Q3 V5 _DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 * I# Y+ L1 Q' j6 [- A
* p4 H# b7 B) o6 O9 S# H& A
G/ K; K0 k f$ c) s |
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