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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 & L" g" h" Q1 w8 T6 Z
8 B& ]0 C! O+ y f' B& O) X目录# F* \- U3 L7 a" K H
1、DDR4 关键技术* v+ y; S/ s" Q& _8 y+ K
1.1、DDR4与DDR3 不同之处
3 B! n. s- g# o1.2、POD 和 SSTL 的比较
! X+ w0 i9 f5 P9 e1.3、数据总线倒置 (DBI)# ?: {- j# e( k+ L: t
1.4、ODT 控制
0 w4 e' A+ V' B% h" s {1.5、参考电压 Vref
8 v! P! d4 Q. e+ I( _: h& k2、DDR4 Layout Routing 新方法
$ U3 t9 Q6 W; o+ M }: \0 r2.1、DDR4 信号组
0 d! v0 P% `+ [2 q3 a# Q3 K2.2、DDR 信号等长约束
- H* w: c1 I p- S0 O) z# R3、DDR4 Simulation
% Q( B: F% ]4 ?& \3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
, D# z, D$ x" z% L% u" g3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值9 B+ K L$ m9 E% C5 b: {3 S
3.1.2、Data信号Stub的长度
. h" o8 x m+ G( C) v/ X3.2、Intel SISTAI仿真
, P1 s @* u" c( l0 H3.2.1、DDR通道建模
' ]) }6 Z7 o& `: [$ v. t& r& L: u3.2.2、Hspice仿真. Y# ^% y8 A6 n$ W' I9 V2 F5 l' Q
3.2.3、SISTAI仿真
9 ^, j6 {7 ^5 m1 ] z4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
( J/ N$ ?( ?4 l/ N l4.1、设计情况$ s6 f! }( ]! t- o8 U
4.2、问题描述
# ^" F3 l1 C1 s9 Z6 B# N3 H; f4.3、Memory Margin Test( g6 Q( R& o$ t# P. ^7 G
4.4、问题分析
1 ~3 H4 V* s' p( O& u5 p* l! y4.4.1、Micron 8G 本体分析
. ?4 w5 q P, m% S& ?4.4.2、通过Simulation来分析问题% G+ |2 Q% ^% R' m5 w) I: u: o9 _
5、小结 y% Q/ N* O) o) S% M a8 r7 G; ?
/ r2 }3 f! t; r- [; m
参考链接：8 O& B' z0 x& d; G
! q/ Y4 |' M7 d0 U2 j+ o
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理 & D$ S& s5 R( q. j6 z" p
& N8 J3 N, a9 l; Y
* Y0 E+ A1 B" D4 z5 e x
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发表于 2020-8-30 20:57
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发表于 2020-8-31 08:59
