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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
1 r" `+ y5 l- B, v8 s) x- U1 U% V x/ ]0 N. c" ]
目录
0 ~* r1 S* j2 B 1、DDR4 关键技术
2 ]) u9 l- p: r# t! \. e% q1.1、DDR4与DDR3 不同之处9 l" j+ ~5 J! e2 F- v$ {
1.2、POD 和 SSTL 的比较# D4 M1 O, X( _- r, ~5 ?
1.3、数据总线倒置 (DBI)
4 G9 |9 k+ J9 M" U4 j8 b! B1.4、ODT 控制
% Q- J9 v! Q! h- p" e' k* a) J1.5、参考电压 Vref1 ?/ i; z/ J8 f& S! r6 \
2、DDR4 Layout Routing 新方法2 `# T( K6 p9 `
2.1、DDR4 信号组
( R) d# ]4 {- U U; ?2.2、DDR 信号等长约束
2 f6 F3 C7 F! @, o; u5 S& v4 h3、DDR4 Simulation! S* S0 P0 z0 `% B
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx; j3 W" V6 V0 D0 R
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值
8 Z$ o, X& s: M4 n3.1.2、Data信号Stub的长度
! l3 p) G$ ] @ Q5 t3.2、Intel SISTAI仿真# H, v7 n4 ]( W! h- z
3.2.1、DDR通道建模
0 D' B3 m4 a) |; t# c2 m3.2.2、Hspice仿真. y) @! t& R- l( W4 _% M" T
3.2.3、SISTAI仿真
5 O( E6 i2 X9 X/ c4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
* N, m* X2 m! Z6 t+ X4.1、设计情况5 G; o T" k9 S& Q% b, B
4.2、问题描述6 k. S& K- y4 s/ a; g: N& ?0 V3 M a' D0 Y
4.3、Memory Margin Test. R; P- y! v& f( _2 j0 g8 q
4.4、问题分析4 M; e7 u" ?* B9 A- k1 y
4.4.1、Micron 8G 本体分析
- b* v2 r3 T. d. L6 R: g$ M4 T: \. F% r5 b4.4.2、通过Simulation来分析问题0 \# t; f; J6 u3 [3 _" H! L* W; W
5、小结) c6 f- l; J: h, `" @* h. a& ?8 {
3 I3 r0 ~7 s- ^. G" z参考链接：
( Q+ {# ?7 c2 Q7 d/ ~# r% J3 N5 x% N 4 V7 X7 f( d1 \3 ^
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
# c5 W% W" B) w
6 u! W; _6 t7 s& b) {0 R$ o! N. n1 d* e* t% h d# C
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