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磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的,其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。* u0 j! ^( J: i, u; |
半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系:
+ S" e' I# H' _/ X7 `5 f ![]()
+ I6 Y7 D$ V8 _' Z 式中:ρ---在磁场中的电阻率;
0 c4 A. n4 X4 y& ^ ρ。--无磁场时的电阻率;
5 Y' C5 R# n h, E) t+ c* L3 f( X k p---半导体中空穴载流子数量;) K. [+ g3 h* L/ p
N---半导体中电子载流子数量;
; j f. e& \8 t: M2 A. B μn、μP--载流子的迁移率;7 ?/ o3 J2 W3 ?. X
B---磁感应强度。
) q3 W8 `8 f& `( J9 W- { 从上式可以看出,当半导体材料确定时,磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。上式仅适用于弱磁场,在强磁场下,磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。* U* V; I, L( O7 g
磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术,运算技术,自动控制技术以及信息处理技术,并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。
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