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磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的,其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。# D/ z; ]% }" F( k' [' V0 `6 V! e8 |
半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度B之间有如下的关系:# r: W5 }* a4 S& }
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- w2 b. Z# p( k' w 式中:ρ---在磁场中的电阻率;7 N& P" c7 y- i5 T! j: h
ρ。--无磁场时的电阻率;
$ k H3 f$ W0 ^& l! `4 t7 G2 K& O p---半导体中空穴载流子数量;9 {# p& ~3 |/ o1 ?. O+ c- h$ [
N---半导体中电子载流子数量;
/ k, Q7 H& G! ]; `0 {' \ μn、μP--载流子的迁移率;
: g( Y! V( F3 B- W) x7 T B---磁感应强度。
# s2 K4 ?& j! p: z6 z( Z1 S5 ~* S 从上式可以看出,当半导体材料确定时,磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。上式仅适用于弱磁场,在强磁场下,磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。
; f7 i* r4 ?6 P( ?* R1 y 磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术,运算技术,自动控制技术以及信息处理技术,并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。
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