RF MEMS 器件

hanrry

RF MEMS 器件全球首家推出采用高精度微纳立体加工、硅圆片直接键合、TSV(硅通孔)等MEMS技术制作的新一代硅腔滤波器芯片，拥有超小体积与重量、多层全屏蔽、抗干扰卓越的微波性能，低损耗、高抑制、为微波毫米波系统小型化提供了新选择。产品频率范围覆盖2~50GHz，具有带通、带阻、窄带、宽带、超宽带多个系列。广泛应用于雷达、微波通讯、电子系统等领域。
1、MEMS 环行器

特点

硅腔体结构，体积超小
高功率容量

50Ω微带共面波导输出，键合使用

频率：12~40GHz
MEMS工艺，精度高，一致性好
) F/ U& ?* V1 f5 q0 `8 `可按要求加工定制
# d, v3 K5 ^/ @6 p+ M' {. @

环境参数

工作温度：-55~+85°C
& E' ?9 G9 z9 c7 U7 J" F

储存温度：-55~+125°C

典型应用
- {. T* c$ ?! J  m( \. v9 v( f

雷达、航天航空、微波通信
, a/ `% k. E* f- ^& G, U, P

7 s) B1 ^+ [2 _# s* x* Q' J8 r2、MEMS 隔离器

特点：

硅腔体结构，体积超小
/ C$ R1 z& x. s( a& k6 }2 E高功率容量

50Ω微带/共面波导输出，键合使用
频率:12～40GHz

MEMS工艺，精度高，一致性好
6 X% {: s1 b7 ~" X4 G/ z6 {" i可按要求加工定制

环境参数
- B! U* u- ?. y+ S. u- `/ p5 }( _% a工作温度:-55+85°C

储存温度:-55+125°C
3 {! }2 A+ O5 f7 Q# K4 c- D9 P: @
典型应用
雷达、航天航空，微波通信

3 q! M) h9 i. c# m( R3、MEMS 硅腔滤波器

! i2 x5 r  l4 s+ }- s! X+ E

特点：
9 w' E5 d  }' `+ m4 ?+ g7 K硅基MEMS工艺，体积小、重量轻

频率:2～50GHz

高性能、全屏廠、抗干扰、微波性能好

裸芯片，50Ω共面波导输出，键合使用

带通、带阻、低通、高通
指标一致性好，适合批产

; g, a. T, u5 }/ L$ [环境参数
工作温度:-55~+85°C
贮存温度:-55～+125°C

平均功率：≤3W（连续波）

# v* g# l( M  N; B7 ]7 Y$ w5 e

典型应用
( l; T' t: S2 ^$ ?8 E雷达、航天航空，电子系统
8 \7 u+ c7 ?, M; C/ R, m

4、微集成 LC 滤波器

) t2 [% w2 c" n+ q; L3 i% ?

特点：

硅基MEMS微纳米技术
- L" k' ^* q% k: T+ b, p命体积小、成本低
+ X) c) D+ Z3 I  S4 v1 |- b' j加厚介质膜工艺，防静电能力强、可靠性高

可键合、表贴使用，满足用户不同安装要求
加工周期短，部分取代LTCC产品
! t; N1 b2 J6 ?! }$ J: V/ D( r# v" i较MMIC产品有更高Q值

( n7 K- s4 T- @  b4 y6 \) W) z

环境参数
工作温度:-55～+85°C
贮存温度:-55～+125°C
( C% G1 Z3 z  d* Z+ |5 u9 q平均功率:1Wmax@25°C

电性能规范
中心频率:0.5-20GHz
健合型微集成LC法
6 s3 m3 {- k; z0 r; E7 K8 m- {1db分数带宽:10-100%
: I% X0 n3 F8 r% pVSWR: 16.1 :1
4 M0 X3 @: {8 P" ~% j; _& S0 t$ T, n+ h特性阻抗:50Ω

wozuishuai

学习学习学习