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IMBF170R1K0M1是款 h$ ?& ?1 d: N$ a& x1 A4 i
CoolSiC™ 1700 V、1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7高耐压封装，针对飞返式拓扑结构进行了优化，可用于辅助电源中的辅助电源，连接到直流链路电压600 V至1000 V的众多电源应用中。 + @' c O& k9 z
特性描述：
' C+ ~# }2 a( n8 Z: y0 G1 c0 M针对飞返拓扑结构进行了优化
8 v6 o* j& b* `, ~极低的开关损耗
8 D* W" D4 [7 n+ h12 V / 0 V 门源电压，与反激式控制器兼容
# f0 U+ n& i9 j8 ?# l完全可控的dV/dt用于EMI优化5 T; M* w" J& r" P: q4 q4 A
SMD封装，具有增强的爬电距离和间隙距离，> 7 mm。! y) R8 e! M7 F! N M' Q: b' M) {
器件优势： ]; ?$ H7 a4 D: k7 a
1700 V SiC MOSFET可实现简单的单端反激式拓扑结构，效率高，可用于辅助电源的辅助电源$ C; J: S( n0 I# f2 b% i( w
SMD封装可直接集成到PCB上，自然对流冷却，无需额外的散热器。
% ^2 D8 G" N( h1 u/ J由于延长了包装的爬坡和间隙距离，减少了隔离工作的难度。
. F" F8 ]# l) R6 v$ d: j6 _: m) f- T# b降低系统复杂性
' Z' R' a, Z& t4 K, i$ v6 n高功率密度
4 S; q" n5 M' I% k. G) ]5 P& X8 K7 e7 ~
应用领域
( Z2 u G* B/ s$ m' V1 H: T7 r - 储能系统 W3 S5 K' b& v1 B; m0 {5 n9 t
- 太阳能系统解决方案; Z$ E) Y2 q- k
- 电动汽车快速充电
3 J. ^5 \; J; @6 h - 电源& u3 w+ g" V% M: A
+ u' ~1 W7 N* }( c+ N
) X, L+ `9 V) W+ L# z8 B6 [% T | 
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发表于 2020-5-6 10:09
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