碳化硅 MOSFET 单管适用性

hanrry

适合硬开关和谐振开关拓扑的碳化硅CoolSiC™ MOSFET单管

       CoolSiC™ MOSFET立足于最先进的沟槽工艺，该工艺经过优化可使应用中的损耗最低和可靠性最高。开关损耗低，受温度影响小，以及适用于硬换向的快速内部续流二极管，使得CoolSiC™ MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑和DC-DC或DC-AC电路。英飞凌CoolSiC™ MOSFET不易发生寄生导通，可在桥接拓扑中选用0 V的关断电压，实现极低的动态损耗。

- G! C0 v; \$ v

英飞凌提供了一系列精选的驱动芯片产品，可满足超快速SiC MOSFET开关特性的需求。CoolSiC™ MOSFET与EiceDRIVER™门极驱动芯片相结合可充分发挥出技术优势，其中包括：提高效率，节省空间，减轻重量，减少零部件数，以及提高系统可靠性。

COOL MOSFET部分产品表
' m% A7 Q6 R" q2 Z) f' o

% T+ W7 F+ b7 R- f

Racheler

开关损耗低，受温度影响小