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NAND Flash 行业动态与趋势 % g4 g( @$ B2 E8 l- C& J
在如今 NAND 地盘上,三星、SK 海力士、美光、恺侠(原东芝存储)、西部数据、英特尔群雄割据。
% o5 [, v. ^* \3 N根据 DRAMe Xchange 数据,2019 年全球 NAND Flash 市场前五大厂商三星、铠侠、西部数据、SK 海力士和美光的市场份额合计占比达到 89.90%。数十年来,存储行业的厮杀像是一场轮回,十年河东,十年河西。
: q2 A7 F3 ?# m' u/ |/ P现在轮到中国杀了进来,在当前的国际局势下,长江存储和合肥长鑫们,担负起了振兴国产存储芯片的重任。预计 2021 年长江存储产能将占到 NAND Flash 整体市场的 8% 。
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2 d" |5 D$ ?+ f2 e+ K7 I! o+ l' x- ^5 V存储芯片价格存在周期性变化特点,NAND Flash 作为存储器的一种,价格自 2018 年初至 2019 年间处于降价周期。有数据统计,2019 年 NAND Flash 的价格平均跌幅达 46%,销售重挫 27%,导致主要供应商陷入亏损。 . U% Y$ p4 |9 X5 }& g/ ~
经过接近两年的降价,目前 NAND Flash 价格虽然仍相对处于低位,但从 2019 年末已逐渐开始有回暖趋势。此外,在疫情影响下,云端服务需求加速上升以及远程办公、远程教育,对笔记本电脑需求的急速上升,备货需求逐渐涌现,连带提升 NAND 存储需求。
% T/ v! a4 Q& Y' T2 D# S& m据 Gartner 研究数据显示,在多因素持续发酵的影响下,2020 年存储市场规模预计将达到 1247 亿美元,呈增长态势。内存方面,由于从 2019 年开始持续短缺,以及晶圆厂的业务延迟和技术转型,NAND 闪存价格将不断提升,预计 NAND 闪存收入将在 2020 年增长 40%。 - e! d9 G0 R; b- J# t) f
随着 NAND Flash 价格周期波动,主要的行业厂商针对需求变化调整产能。在上一轮降价周期中,各厂商纷纷暂缓了扩产计划。如今随着下行周期的结束,各厂家又重启投资计划。
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三星电子对其西安芯片工厂二期增加 80 亿美元的投资,将用于投产 128 层或更高堆叠层数的 3D NAND 芯片,三星此次的扩产计划,预计在 NAND Flash 闪存增加每月 6.5 万片芯片产能,全部集中在中国西安厂。预计于 2021 年下半年竣工,建成后将二期产能将达到每月 13 万片;
2 X0 E$ Q$ h% x铠侠和西数在岩首县北上市投资 70 亿日元,计划 2020 年上半年开始生产 3D NAND;铠侠计划于 2020 年底在四日市工厂内建设 Fab7 工厂,用于投资最新的 3D NAND,计划 2022 年投产。 7 Z4 S, A0 {; y' ]8 N% L
可见,NAND Flash 市场经过在下行周期时的调整,库存正在逐渐恢复,自 2019 下半年开始,数据中心、服务器等领域为了驱动 5G 网路的发展,再加上手机品牌厂 5G 旗舰机上市需求热络,导致 NAND 市场资源供应紧张,导致原厂加紧了 2020 年 NAND Flash 扩产的步伐。 & h/ | Y$ j( {( L3 k+ p
但随着后续疫情的结束,以及以智能手机为主的终端厂商出货量的减少,又将会对需求端造成一定影响。同时由于行业头部厂商竞争仍较为激烈,技术与产能并无明显优劣,在各大厂商迅速扩产的背景下,NAND Flash 价格的景气周期可能较早结束,因此也要做好价格将重新进入下行轨道的准备。 ( q4 ^3 N' j, d3 i- Z# ?: S- `! Q
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