台积电3nm细节公布：2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

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台积电3nm细节公布：2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

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     近日，

台积电

正式披露了其最新

3nm

工艺的细节详情，其

晶体管

密度达到了破天荒的2．5亿／mm2！

作为参考，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113．31mm2，晶体管密度103亿，平均下来是0．9亿／mm2，3nm工艺晶体管密度是7nm的3．6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。

性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15％，能耗提升30％，而3nm较5nm性能提升7％，能耗提升15％。

此外台积电还表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。

工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身，所以进度及技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。

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winushej

台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。