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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了" {) }7 J1 w  E+ N; w

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18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:$ k3 _& I9 i+ G
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号; Q/ K! L2 A: l3 `; |
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;: s- C# y" R) Z; I' y8 p5 y
产生原因可能有:
! v3 w4 G  i! g5 {- P: R2 q1 T' j
) \' _' s: n+ T# G1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
+ L# A. M! Y/ d  ~; C2 U! Q和负载大小,走线长度相关;9 a: q% R. z- g3 p1 @
  R- D8 q6 R5 H( U: T
dq_full             Full-Strength IO Driver
2 ~: K% _5 L  G0 ?dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
, J1 \4 O2 H8 w* V: R2 x6 g! B3 Y6 E3 B; O, d: f* A) \0 m  g8 u
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号& a3 ]7 M1 P. d2 T- o- f
如果存在多负载也需要端接;
  P8 e# F/ P6 w" P# f6 i* x
3 M/ s# c& [4 N  }9 z, g/ ]. l3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;
7 I9 _/ U4 q3 f4 D4 ?+ @9 [0 w& ]8 ]4 h
4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;# z) _3 Y  [, L5 U! f* n0 l& v6 I

6 g4 w8 X5 O2 Q2 ?, Y% D. U解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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