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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

该用户从未签到

17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了
6 R2 }- o( r* Z7 N! [

该用户从未签到

18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

该用户从未签到

19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:( ^# M+ k! N; P* O3 K! L- X
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号; A! |, t: \- w7 J' K  \
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;6 t7 ]) Z) f4 w: s2 q
产生原因可能有:
8 z7 U# k6 e0 g1 T+ T! a1 p2 r+ i6 Z& y4 G$ b5 p! i8 @: Z
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
- S! q/ i3 i" x和负载大小,走线长度相关;
/ _$ h7 t) M3 B( J" K  p4 m3 ^! q' b$ d
dq_full             Full-Strength IO Driver
9 {* ?" [3 w0 r8 X0 Z: X& M1 ]dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
8 O) _% j6 E- V. l: T. @2 O/ ]! @( E2 y! h& P
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号4 R# o. t) B. e# F
如果存在多负载也需要端接;
, Y' E' D! ~, E  `" ?8 K* v/ g; m  V7 _9 ]) A
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;
, W( e% J+ f, N( N4 C
0 q7 S5 }% _& z! w* W8 m8 b4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
! D  G" m. B  b
  X: |3 x2 q9 V$ L) @2 z解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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