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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

该用户从未签到

17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了
+ I2 h1 y; o8 h+ b& v; g0 E

该用户从未签到

18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:2 l/ U3 q# z, K$ F) ]: p- D
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号7 ~- g. |, }& y. o
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;% ?1 D; |4 J1 n5 P# [4 X# e( ^
产生原因可能有:- p2 ~2 ~  f# H. j8 D- ]+ @5 q4 _
0 |. `7 w; y' a2 o% f
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
% w0 h" Z' j0 G和负载大小,走线长度相关;6 `! H) Q  @5 z, X
2 w1 O, l/ A% g- C+ |. i2 f- a
dq_full             Full-Strength IO Driver" |/ K) ~/ K! ~( H! {5 K0 a  {5 R
dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver$ ]8 l, h( ]* E% k  W% v

7 ~: E7 K! h9 b  S2 V2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
9 b8 y4 [* F$ x, o/ Q, h9 R- E如果存在多负载也需要端接;4 m# M8 R1 ~. G. b+ S0 N

1 z! p+ |1 D8 r3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;* v- V7 F2 g4 C- D6 }

* n  f1 U  u4 N4 b( N& A0 e6 r  e4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
5 Z9 e0 y' {) _
0 z  D0 L, e6 i& z解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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