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Mos 开关时的米勒效应是如何形成及消除的?

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    MOS 管,MOS 管米勒效应
    & Q' ?% L$ ~7 p( o! p# P米勒效应概述0 D+ d8 |! }( w) d+ [
    米勒效应(Miller effect)是在电子学中,反相放大电路中,输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用,其等效到输入端的电容值会扩大 1+K 倍,其中 K 是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大,但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。. a* c' W7 P+ X
    米勒效应的应用
    7 v/ m) A8 P0 Q
    米勒效应在电子电路中,应用很广泛: ?) F  N5 R8 E# m: Q
    (1)密勒积分
    : T- @- f7 V: y7 k2 A在集成运算放大器开环增益 A 很高的情况下,展宽积分线性范围,提高运算精度,获得了广泛的运用。" w0 p! N! ]& ^/ E5 r
    (2)用米勒电容补偿,消除自激反应
    % P$ j. K& k% C2 c  r% x" ~由于米勒电容补偿后的频率响应,是一种在 0dB 带宽不受损失的情况下, 使集成运算放大器没有产生自激可能品质优良的“完全补偿‘。同时,密勒效应使小补偿电容可以制作在基片上,从而实现了没有外接补偿元件的所谓“ 内藏补偿”

    & r! B  v: n" n9 v9 [) q+ d/ ~' w- c

    Mos开关时的米勒效应是如何形成及消除的.pdf

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