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楼主: jane@2013
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MOS电平转换电路

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16#
发表于 2020-4-13 02:20 | 只看该作者
一缕缕阳光 发表于 2020-4-12 23:48
, P! ^9 P# j1 I" d& u, T: |mos管栅极驱动电压过低,MOS管没有完全导通,所以电阻比较大,并不是理想的1.5欧,所以存在0.4v的可能   ...
4 r8 P5 a9 j4 }7 ~8 N( G
“理解” 应该离不开规格书,不然就只能叫猜测。
0 d; y% b2 l) g" ^0 L  P! i; i, C( x
规格书讲,栅压只要2.5V,沟道即完全开通,沟道电阻典型值1.5欧姆,最差2.0欧姆。楼主电路中DDC_CLK源极驱动为低时,栅压为3V附近,完全满足开通条件。$ x* |: T: R5 u6 h* R1 l* x4 g

NTR4003-Rds.png (180.02 KB, 下载次数: 6)

NTR4003-Rds.png

该用户从未签到

17#
发表于 2020-4-13 08:40 | 只看该作者
canatto 发表于 2020-4-13 02:20
- R5 X  E& G% h" G( C9 u“理解” 应该离不开规格书,不然就只能叫猜测。5 k/ F0 b3 h/ V/ e& M- J% x% b

8 d& S) X, P+ B. o# Y规格书讲,栅压只要2.5V,沟道即完全开通,沟道电阻 ...

% U; F- j9 b) t0 F( V6 s! ]确实  我当时没仔细看图中的MOS管型号  没去看规则书  谢谢提醒
7 g& a4 \$ A; K+ Q& U5 J% x- [

该用户从未签到

18#
发表于 2020-4-16 21:28 | 只看该作者
你把输入接在S极端,通过放电二极管漏过去的

“来自电巢APP”

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19#
发表于 2020-4-29 22:38 | 只看该作者
就是内部二极管压降

“来自电巢APP”

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20#
发表于 2020-4-30 13:48 | 只看该作者
体内二极管的压降问题导致的

点评

谢谢,应该是的  详情 回复 发表于 2020-4-30 15:23
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45
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    [LV.9]以坛为家II

    21#
     楼主| 发表于 2020-4-30 15:23 | 只看该作者
    AD9_PCB 发表于 2020-4-30 13:48, t# C- d) z6 H* s% w0 I8 X
    体内二极管的压降问题导致的
    1 S4 d1 w/ B* r, Y5 X2 i' L
    谢谢,应该是的
    $ G6 |2 }3 Y% e5 _* |8 ]

    点评

    MOS管导通状态下两端压差0.16mV,二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是二极管的压差。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:34
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    22#
    发表于 2020-4-30 15:42 | 只看该作者
    个人分析:
    " Z5 \' \# J  ^( [6 s( I3 ]MOS管的D极被拉低到地后(Vd=0V),MOS管的体二极管导通,于是S极电压也被拉低到0.7V左右。7 L2 M+ Y; I1 G5 |1 z9 w8 Z
    此时,由于Vgs=3.3V-0.7V=2.6V,大于Vgsth,MOS管导通,体二极管被Ron短接应该不再导通。
    , i6 G" H$ q/ [S极电压Vs=Isd*Ron+Vd。而Ron大约是2欧,上拉电阻R1965=2K,所以Ron上产生的压降应该是mV级别的才对。Vs=Vd。7 t3 g' T+ C+ d: h
    所以,楼主所称的0.4V电压差异,我觉得还是有必要再研究讨论一下其来源,不应该是体二极管造成。
    2 e: K; [5 V9 z& {2 DVd是否被拉到0V了呢?
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-9-20 15:45
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    [LV.9]以坛为家II

    23#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:22 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-4-30 15:42
    5 H$ W4 t* i! B个人分析:
    - {2 v7 h* f  f' ?MOS管的D极被拉低到地后(Vd=0V),MOS管的体二极管导通,于是S极电压也被拉低到0.7V左右。/ K9 r. G# h! N# M* E$ N% `
    ...

    7 b2 r6 A* }3 V' ~9 p; r两端都没有被拉低到0,一端是0.3V,一端是0.46V( d2 u5 B5 n( Q8 v, a1 S

    点评

    那你就应该先测试这个电路的功能,比如不用MCU去驱动,而是直接把S极或D极接地,看对应的D极或S极是不是也能被拉低为0V。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:28
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    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

    24#
    发表于 2020-4-30 16:28 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 16:22
    - V- L, v$ E% ]* w两端都没有被拉低到0,一端是0.3V,一端是0.46V
    ( q: `6 d# M" u* `* R
    那你就应该先测试这个电路的功能,比如不用MCU去驱动,而是直接把S极或D极接地,看对应的D极或S极是不是也能被拉低为0V。, T2 _( G; ~1 v# u8 V' E. Y3 z

    点评

    主要是看导通状态的压差吧?0.3V端是信号输出低电平端,0.46V是经过MOS管转换后的电平。  详情 回复 发表于 2020-4-30 16:37
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    [LV.9]以坛为家II

    25#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:31 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-4-13 02:20( `& ~+ O8 D: y3 ]
    “理解” 应该离不开规格书,不然就只能叫猜测。' U. P$ u. D/ y) l0 h2 F; f; U' P* B

    1 H8 u! \( u- P# Q6 F4 h" X$ S! T4 K# g规格书讲,栅压只要2.5V,沟道即完全开通,沟道电阻 ...

    7 [$ W* q) M* o  e按照电流2mA来算,如果完全导通那么电阻按照2R来算,这样算下来,压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压差是0.16mV。+ o# E" \5 s( A. E2 ]

    点评

    电流有可能不止2mA,Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。  详情 回复 发表于 2020-4-30 17:19
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    26#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:34 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 15:23! t1 i6 j) p3 q8 J3 r- S
    谢谢,应该是的

    ( t1 v/ T4 o* eMOS管导通状态下两端压差0.16mV,二极管导通最低压差二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是二极管的压差。5 {- V+ G1 m+ w% N

    点评

    你用的这个mos管规格书里写的很清楚,内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。  详情 回复 发表于 2020-4-30 17:00
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    27#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:36 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-4-13 02:20+ H4 z6 A6 j9 \
    “理解” 应该离不开规格书,不然就只能叫猜测。
    7 I; n0 F# P5 u; m! U0 \; T1 X
    6 l; ?2 C  l6 D7 ?1 l9 R规格书讲,栅压只要2.5V,沟道即完全开通,沟道电阻 ...

    * w+ z! ^: [9 i[size=13.3333px]不好意思写错了,实际导通状态下MOS管两端压差是0.16V。
    7 i+ `3 W& L$ |$ w5 L
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    奋斗
    2022-9-20 15:45
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    28#
     楼主| 发表于 2020-4-30 16:37 | 只看该作者
    topwon 发表于 2020-4-30 16:28
    $ e1 U. \& v, z+ ?+ S4 V* N那你就应该先测试这个电路的功能,比如不用MCU去驱动,而是直接把S极或D极接地,看对应的D极或S极是不是 ...

    ) i( {7 ]- E& B主要是看导通状态的压差吧?0.3V端是信号输出低电平端,0.46V是经过MOS管转换后的电平。
    0 ~( ~/ D  N, t. Z' @
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    29#
    发表于 2020-4-30 17:00 | 只看该作者
    jane@2013 发表于 2020-4-30 16:34
      R" p! y: x1 M  b% f9 R( w! mMOS管导通状态下两端压差0.16mV,二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是 ...
    2 P. u! s, r, l) B8 P  L$ s
    你用的这个mos管规格书里写的很清楚,内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。
    1 k+ c' z5 c4 r! r2 `7 Y
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    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    30#
    发表于 2020-4-30 17:10 | 只看该作者
    其实,你换一个Vgsth和Ron比较小的MOS管试一下就可以了。比如AO3402,SI2302这类。
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