基于MSP430单片机畿晶化监控 系统设计与实现

ByGrith4

摘要:针对非晶材料晶化过程的电特性,提出了晶化温度控制和电阻率测试的总体设计方案，
/ f! o. f; v/ t+ w介绍了监控系统硬件和软件设计,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智能温度控制和电阻
" k, F1 M! F+ H4 [率测试装置。试验结果表明该系统既提高了控制精度和可靠性,降低了开发成本,又能准确及时地
+ I3 Y3 H0 H0 e8 r9 `' u实现非晶材料晶化过程电特性的在线动态研究。
关键词:晶化监控;组合自校正; MSP430
3 E# T+ S- o! i& ~" A" ?: l# J3 j0
. p' u$ P+ z( B# \7 D4 J引言
非晶材料具有超高强度和- -定的韧性，而且价
格低廉，具有广阔的应用前景,是有色金属新材料的
  O) y" z& f- v研发方向之一。由于非晶材料在晶化过程中表现出
明显的电特性,而电特性是表征晶化过程晶核组织
结构的一项重要指标,所以通过电阻率与温度的关.
3 n& J& J* H& e( \系来研究非晶材料的晶化动力学过程，是- -种实用
5 H) O& |* U( Y+ e* O, B
有效的方法。为完成对非晶材料晶化过程电特性测
7 {' M: J* Z5 P9 I3 a( Z2 i试,即电阻率在晶化突变点及亚稳相各特征点的测
试,需要对晶化过程的温度进行精确控制，而且需要
依据不同的材料样品对温度进行灵活设置,所以需
( n- [& ~  F: L; C$ ?) n+ ]. S要设计出一个通用的温度控制器。基于此该文提出
: m& m6 g1 x' ?+ z# Y/ c3 c1 C* t了非晶材料晶化过程温度控制和电阻率测试的设计
" B7 O1 w$ b# h方案,并具体设计了以MSP430单片机为核心的智
能温度控制和电阻率测试装置。同时采用
MSP430F413单片机定时器实现信号采样和PWM
* G4 ]# l! t! g% f* v" u. `; Z控制,不仅降低了开发成本,而且为非晶材料晶化过
& ]8 D; }1 V( F9 V( p  t5 j程电特性的研究提供了实时有效的途径。
1监控系统组成
+ \5 j. Y2 `' X; u1 g系统由上位机和下位机两部分组成:上位机为
: _+ i) o6 v2 M( C
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Racheler

采用MSP430F413单片机定时器实现信号采样和控制,降低了开发成本