麒麟1020流片成功

21906ABC

5nm工艺麒麟1020流片成功，每平方毫米1.713亿个晶体管

- w6 M$ c* {  t* y, o2 [) y8 G8 O0 L

2019年年底就有供应链消息称，台积电在积极备战下一代芯片5nm EUV，华为目前正考虑将5nm工艺用在其下一代旗舰芯片麒麟1020上，预计2020年第三季度上市。

@手机晶片达人 爆料称，台积电已经开始流片麒麟1020，有望于8月大规模交付，然后和往年时间差不多，由华为Mate 40系列首发，大概9月份正式发布上市。

: ~& o$ H2 x5 y& X  i$ L

据悉华为麒麟1020将采用ARM Cortex-A78架构，得益于5nm工艺，麒麟1020每平方毫米可容纳高达1.713亿个晶体管，依旧采用集成5G芯片，比高通骁龙865外挂X55基带功耗低，其性能比麒麟990提升50%，而高通骁龙865较前代骁龙855性能只提升了25%。不出意外的话麒麟1020处理器仍将由华为Mate 40/Pro系列手机首发，预计将在今年9月份发布。

从现有资料判断，5nm产能的最大头由苹果占据，用于今秋的iPhone的A14处理器，其他产能被华为海思麒麟1020处理器占据，而高通系的5nm芯片高通骁龙875则要等到2021年才能量产。

2 n0 I) R7 U0 v) s, S3 y6 m台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％
$ ]4 z! S% y/ R8 l2 R$ Q3 G) U

据了解，台积电5nm工艺会大规模集成EUV极紫外光刻技术，此外，一篇论文中还披露了一张晶体管结构侧视图。

WikiChips经过分析后估计，台积电5nm的栅极间距为48nm，金属间距则是30nm，鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm，照此计算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

相比于初代7nm的每平方毫米9120万个，这一数字增加了足足88％，而台积电官方宣传的数字是84％。

虽然这些年摩尔定律渐渐失效，虽然台积电的工艺经常面临质疑，但不得不佩服台积电的推进速度，要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情，那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个，5nm已经是它的几乎六倍！

另外，台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个，5nm是它的近3.3倍。

# J+ W8 R* [/ J. X9 O" v

colin_fa

5nm工艺，为台积电TSMC点赞，华为麒麟系列推陈出新、节奏很快啊；
) e' T% L; F' J$ q, ]" I/ P* a* q也多谢路老师的即时信息，每天看路老师的帖子、就可了解电子元器件行业动态，崇拜~