集成电阻器

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对一般图形电阻的阻值采用计算电阻公式(3-1) ，折叠图形电阻阻值的计算是各段相加，不过对端头电阻和拐角电阻要进行修正采用计算电阻公式(3-3) 。

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集成电路中电阻--基区沟道电阻
! d& N! L1 d3 D% t/ F4 T/ E外延层电阻
外延层沟道电阻
离子注入电阻
% p2 b! U3 Z! o4 c同样是掺杂工艺，由于离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，并且横向扩散小，因此，采用离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。
1 {4 x' S$ ?2 A; X6 u+ g8 |这个电阻(见图 3.14)由两部分组成，离子注入区电阻和p+区端头电阻，因为p+区端头的掺杂浓度较高，所以电阻值很小，实际的电阻阻值主要由离子注入区电阻决定，与热扩散掺杂电阻相比，减小了误差，进一步提高了精度。
离子注入电阻
0 U2 D8 y  e2 W离子注入电阻

3.1.3 MOS集成电路中常用的电阻
2. 用MOS晶体管形成电阻
+ F9 ?; {3 i' y用MOS晶体管形成电阻又叫有源电阻是指采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用。双极型晶体管和MOS晶体管均可担当有源电阻，在这里将只讨论以MOS器件作为有源电阻的情况，双极型器件作为有源电阻的原理类似。

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同样是掺杂工艺，由于离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，并且横向扩散小，因此，采用离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。