TA的每日心情 | 怒
2019-11-26 15:20 |
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对于微波大功率有源器件来说，其输入输出阻抗是-一个关键的参数，且不易测量。而在设- I" o2 Y( E6 Z; T+ v. U* g
计中，没有这些参数，设计将无从下手。目前微波大功率的有源器件大多采用金属氧化物半导
6 R( ?& D9 ]5 F# f0 I8 m体场效应晶体管(L DMOSFET-Lateral Diffused metallic oxide semiconductor field effect. q, c/ W( e% E, t. C; ~* k3 t
transistor)
4 K! c; t3 \( G因此本文以LDMOS幼率管的仿真为例探讨微波有源器件仿真。3 G/ \. {* S1 o9 k7 Q( k! h
由于大家所公认的大功率器件仿真的难度,- L( J- b+ \% Z
特别是在器件模型建立方面的难度，9 b$ `' Y% f( Q
使得这一
2 Z1 }7 F! _ @3 j5 e7 B r! ^工作较其他电路如小信号电路仿真做的晚，且精度也较小信号电路低。目前公司内部在这方面
7 B( N: W8 n# B H$ r0 Z# M; g所作的工作也相对较少。8 S+ e; D. Z+ G0 z3 w# _
随着技术的发展，目前的很多仿真软件已经做的很完善，如) {4 X7 f: z+ N1 G6 i1 \: p8 |( V
ADS它可以提供各种数字和7 M$ | r* m1 A/ j
模拟系统及电路的仿真平台，用户的主要任务就是给目标器件建模和搭建电路。而目前我们使.+ N# T: N9 Q8 H
用的主流LDMOS器 件即Motorola 的大部分 器件均提供ADS仿 真的模型，我们只要直接使用，这
* W1 O7 `2 L3 y; C给我们的仿真工作带来了极大的方便，极大的减小了工作量，并提高了准确度。
+ M3 Y. s9 i) w) S9 |本文主要探讨使用ADS2002仿真计算 大功率LDMOS器件的工作点、 输入输出阻抗及其对应
/ F) J* G. B. }& }- K% |& X的线性指标、电流、增益等电参数。
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' H- F& K' a/ X9 ^% d
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发表于 2020-3-19 11:24
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