没有高端芯片，却能造出一流武器?

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俄没有高端芯片为何仍能频频

推出世界一流的新武器装备？

从2014年乌克兰危机后至今，俄罗斯经受西方一轮又一轮的制裁，但却仍能一批又一批推出世界一流的新武器。如在空天防御方面，有第五代战机苏-57投产，有第四代防空系统S-400的服役，第五代防空系统S-500打靶成功，以及新一代战略反导系统A-235战斗值班等等。西方记者渲染：俄罗斯“频频发出令人不寒而栗的提醒！”。所以有读者提出疑问，俄基础工业水平差，微电子技术又一直是俄罗斯的短板。俄罗斯推出这些世界一流的新武器，又缺乏世界一流的微电子技术和高端芯片。俄罗斯又强调自力更生基本上不使用外国的元器件（西方也禁售高端电子器件）。俄罗斯科技人员是如何解决这一矛盾的？

我曾在“俄尖端武器研发为何没有芯片危机？”一文中初步剖析俄如何解决这个矛盾。简言之就是依靠“自主创新”的思想。再具体说，一是靠科技人员“扬长避短”的设计思想。充分利用俄在导弹飞行力学、惯性制导技术和器件，发动机，微波电真空技术，模拟电路等基础技术优势，依靠俄科技人员聪明才智，弥补数字技术的不足。这种弥补不是简单的替代，而是一种创新。如作者在“芯片危机”一文中曾举例，俄用他激晶体振荡器作为中频信号积累，其体积甚至比集成电路还小，就是一个典型的成功例子。俄科技人员扬长避短，一方面是出于无奈，但另方面却促使模拟电路技术有了新的发展和进步。

第二是靠科技人员“系统第一”的设计思想。后者就是指“武器部件的水平可以一般，但系统水平，包括武器系统性能指标和武器可靠性必须一流”。例如在空天防御武器领域，从俄高层领导到导弹系统总设计师，他们清醒地认识到俄的基础工业远逊于美国，应该实事求是发展自己的空天防御武器。他们有二条不成文的设计准则：一条是不能要求武器系统指标全面超过美国，或者项项指标世界第一。俄没有力量全面和美国拼比。所以要抓住主要指标，解决主要矛盾，使主要指标世界领先。第二不能要求系统中所有设备和部件都是一流的，但要求各个设备自主创新，尽量做到扬长避短。主要追求实效和稳定、高可靠，而不刻意追求采用先进元器件和先进技术，不在乎外貌有点“傻、大、粗”。然后由总师们综合出主要性能突出，水平世界一流的防空导弹武器系统。这一不成文法则被西方一些文献誉为俄罗斯研发武器的“金科玉律”。

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作者认为这一点对我们很有启示作用。前一阶段，我国的科技界表现出某种浮躁情绪，就是各行各业都要全面赶超美国，并宣称有很多方面已经或早已超过美国。实际上就拿高端芯片来说，要承认我们和美国的差距是需要长期艰苦奋斗才可能赶上的。即使到那时也不能设想所有高端品种芯片全部赶超美国，事实上只要一些主要品种赶上或接近世界一流水平就很不错了。当然核心技术必须掌握在自己手中。武器研发人员追求武器水平世界一流，他不在乎所用芯片水平是否世界第一。

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要自主创新还得有敢于创新的精神。比如俄S-300系统的设计，他们敢于创新的精神还是很值得我们借鉴的。首先是波段选择，美国的爱国者使用的是C波段。而俄技术人员提出用更高的X波段，以进一步提高雷达的性能。但在当时有很大冒险性。不仅是元器件研制和供应都很困难。相控阵雷达需要的关键调试设备“X波段大型天线近场测试系统”的制作也没有把握（要求在几米大的测试架上的采样头在任意点作三维移动时，定位精度不大于百分之一的波长，即0.3mm）。但俄罗斯敢于抢先占领这一技术高点，并且是世界上第一个研制出大型X波段的近场测试系统。

另外关于相控阵雷达天线馈电方式，美国学者和工程界一直主张用分支馈电（通过大量电缆或波导分支）方式，否定空间馈电方式。但俄科技人员在空间馈电方面取得重大突破和成功。本世纪初一次国际雷达年会上，美国雷达专家巴登听了俄罗斯总师叶夫勒莫夫的报告，知道空间馈电已在S-300上正式采用时，他大加赞扬俄科技人员的创新精神和毅力。并在会上作了这样一段有意思的讲话：

西方的相控阵雷达研制者们，自1960年以来就一直全神贯注于分支馈电的设计，都倾向于忽视和拒绝这种空间馈电的途径。……。到1988年时还自以为是认为空间馈电技术不够成熟。……。在1993-1994年由IEEEE相控阵天线发展的详细科目大纲中甚至没有提及空间馈电阵列。西方雷达工程界的这种态度把发展的空间馈电阵列技术全部留给了俄罗斯工程师们，使他们得以精力充沛地进入这个空白之地。

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由于俄基础科研非常扎实，大家相信，只要俄经济进一步好转，他的微电子技术和高端芯片技术一定会有新的发展和腾飞。否则低水平的微电子技术或有可能成为俄进一步发展信息化、网络化武器的瓶颈。所以我们借鉴俄发展尖端武器的经验，主要学习人家自主创新和敢于创新的设计思想和精神，而不是去仿效他的具体做法。

“用市场换技术”之路走不通

我国微波电子管等核心器件走的弯路 也说明 “用市场换技术”之路走不通

其实类似此次中兴事件的经验教训并不是第一次。上世纪80-90年代，当美苏等国正在化大力气研发新一代微波大功率电子管，以装备新一代大功率雷达时，我们却强调市场经济，敲锣打鼓地去关闭掉不赚钱的电子管厂，大学里关闭不受学生欢迎的电真空专业（据说是微波有害，电真空材料有害）。一些专家则发愁后继无人。在有些人脑中形成一个似是而非的概念：电子管要比晶体管落后，晶体管要比集成电路落后，集成电路又比芯片落后。需要的话可以花钱去国外市场买。直到后来西方严禁向我国出售大功率微波电子管时，才明白过来。俄科技人员在这方面比我们聪明，他们的微波电真空技术水平很高，独树一帜，在促进俄先进武器的发展上起了重大作用。

“爱国科学家齐发力 中国芯很快将崛起”

我国每年都由工信部举办“中国集成电路产业促进大会”，2016和2017年二届我的一位学生都参加了。他回来后向我们转达大会情况和我国芯片产业的尴尬处境。2017年我国集成电路产业产值达5000亿人民币，约占全球份额的11%，而我国的台湾却占到16%。按营业收入排队，全球前20名大半导体企业，大陆一家没有，而台湾有台积电等三家入围。我国每年进口的美国半导体产品，主要是高端芯片，达2300亿美元，堪比我军一年的经费。美国的几家芯片巨头在中国市场无一例外赚得盆满钵满，但多年来还多次以国家安全为由，挥起知识产权大棒，一会要禁售这家，一会要制裁那家，目的就是扼杀我国的芯片产业，而将核心技术永远掌握在他们手中。

此次“芯片事件”，固然是坏事，但处理得当也很有可能成为我国高端芯片发展的再一次黄金机遇。据我学生所说，二次会上很多科技人员表示要摩拳擦掌，大干一番。会上更有一批海归人员，他们中有些在国外从事芯片技术多年，回国想用自己专长报效祖国。而且还号召仍在国外的同事不要错过机遇。他们在会上还提出“爱国科学家齐发力 中国芯很快将崛起”的口号。科技之争归根结底就是人才之争，只要政策对头，重视人才，团结一切可以团结的力量，相信中国高端芯片很快将崛起。

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充分利用俄在导弹飞行力学、惯性制导技术和器件，发动机，微波电真空技术，模拟电路等基础技术优势，依靠俄科技人员聪明才智，弥补数字技术的不足。