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基于80C196MC 单片机的DC-DC双模块并联控制
6 F' A( ~, f( k3 g2 n, l$ z O( e8 B6 |. p3 h: E" e8 q' h
摘要:从主电路的选择出发，提出采用输入串联输出并联的2个半桥电路双模块DC-DC
! Z5 F& a, J4 z0 u变流器来实现主从控制方式.描述了DC-DC控制系统框图，并对控制部分如何用微机产生2个$ g1 M9 s% \7 t
半桥的驱动波形.如何解决均压及移相问题进行了具体阐述.试验表明系统具有较好的动态性3 z2 v' \. k/ z4 d$ G
能.,输出纹波小.。
. I4 [ b! D; o& @关键词:直流变流器.;单片机_;移相.;均流控制.;微机控制.;双模块8 p I% O1 Q6 P0 g
) d4 L% U1 H2 k; F i( J- g0 Q& L1 g r0 i, t$ i% S
0引言$ [# g$ R5 F3 m+ J t1 J4 c
微机控制技术与模拟控制技术相比,具有控制
8 `- T$ @- T+ Y) Y0 U逻辑灵活,故障诊断功能强，, 可通信.上网等特点.。近.8 f& H: I ?9 g* V6 ?
几年随着列车通信网络技术的发展和应用，对集中- o1 Z% w2 q0 H, e5 C
控制和查询的要求也越来越高，所以采用微机控制
; I, F% d* F1 p8 z- \取代模拟控制在直流变流器中的运用已成为必然.。
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! D4 Z+ G( }7 b) ^1主电路的选择
1 f, q% q7 Z u4 [9 D在考虑浪涌、过电压以及安全系数条件下，如果 Y. A3 y, b) }2 ]$ r& I& |
采用1个半桥式电路作为主电路. ,就必须采用3300 V
# @5 l0 P: A# v7 o的IGBT元件，而这种电压等级的IGBT其开通压降较
6 X1 j# e# f+ k, @3 A9 U" L. J高.。如果采用较高的开关频率. , 则损耗较大。为了充
- G0 |3 L C# P; |6 l9 a分利用高频开关电源的优点,我们采用了200A/
* ?0 M( y5 O; z+ I. M. s1700V的IGBT开关元件.，并采用输入串联、输出并.
) R* m) z4 y1 e0 a+ O联的2个半桥电路的双模块DC-DC电路形式,其主
, Z! @) P/ U& S+ D2 ]电路如图1所示.DC 1 500V直流电压经RO对电容进
1 ~0 N. | H1 Z. E4 p S+ ]! T* Q5 ]7 }# v
行充电.,K为接触器. ,R1-~R4为均压电阻,C1.、C25 @% o0 t: B6 l' p
为分压电容将DC 1 500V分成2个DC 750 V分别提0 s: t! @( N, ~/ q" U1 r# v/ e
供给2个逆变桥，),C3-C6为换相电容,VD1-~VD4
/ ]. U1 {1 r4 C6 M, L. m- Q: F为IGBT.2个逆变桥将DC 750 V逆变成20 kHz的高
( J' X r; q0 [. V0 ~频方波，再分别经T1、T2高频变压器隔离降压，然
6 x, q9 t, K4 i, W: Y1 `后经全波整流后,由L1.、L2、C7滤波后输出。
* U; Y6 O3 b- U' A5 |4 V$ C- D1 z' p* y; N4 Y7 ~* t
% t2 m% a. _' Y; O
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发表于 2020-3-18 10:30
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