找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 306|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

[毕业设计] MSP430系列单片机及MSP430F449单片机在医疗仪器中的应用

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2020-3-17 09:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

" a) S, x" O$ c, I2 H/ n4 r% Q摘要:TI 公司生产的MSP430系列单片机带有flash存储器,使得在线访问和改写数据变得很方9 T( g( o' z( \" t
便,具有其他单片机无可比拟的优点。本文扼要的介绍了TI公司生产的MSP430系列单片机的特性、各
& \. R; H) J% j2 Q: l管脚功能以及简单应用,并结合自己的课题,简单介绍了MSP430F449单片机在医疗电子器械中的应用。/ \, T. h9 n4 m) ~! o, D; ?5 f2 N
7 f- s6 \4 C2 Z  J+ d) z5 z$ O
关键词:单片机;存储器; FIash memory
/ B7 [7 C9 n5 A4 U" Z* I: O, n
) c) J  g" D% [* Q. p9 q1 b1  快擦写 可编程只读存储器Flash Memory/ e. _; @& n) Z
存储器是计算机中最重要的部件之- - ,而且存储5 s9 b* @  t/ `9 ?$ f
器的更新速度也很快,基本上是以每三年翻两番的速
: {9 b6 F2 \- @4 d度在增长。存储器的种类分成两大类:断电后数据会4 D( Y: v0 m4 @3 Y
丟失的易失性存储器和断电后数据不会丟失的非易
6 n; f, _, }/ u3 l4 f8 x失性存储器。
) F' t5 d7 {* ~* i! L最近,在存储器市场上,可现场改写的非易失性3 I6 P2 W0 x' @3 x
存储器的需求增长速度最快,这些芯片技术正在迅速
0 E( Y8 p- z  G' y地改变着存储器世界的面貌。主要有可电擦除可编程8 \2 O1 c7 U! c* k( p
的EEPROM、利用锂电池作为数据保护后备电源的一
/ }5 Z6 B; S# l1 }% j& v( ]9 Y体化非易失性静态读写存储器NVSRAM、在EPROM: b3 R9 w& F; E1 S
和EEPROM芯片技术基础上发展起来的快擦写存储
/ t/ t( o- `8 k' Q. |器Flash Memory、利用铁电材料的极化方向来存储数# M4 I8 S4 b% l) w
据的铁电读写存储器FRAM。这里主要介绍快擦写可  C. p2 b: J, I: c% r" b7 I
编程只读存储器Flash Memory。( w4 i9 N8 F7 M  e' g8 E
Flash Memory的主要特点是在不加电的情况下能
+ r6 j" t; Q( e& j& h5 E4 y% M长期保持存储的信息。就其本质而言, Flash Memory属8 P4 M' T* u: }
于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。但从原: V/ R0 ?' K3 R  I4 a0 ]& ?
理上看,它属于ROM型存储器,然而它又可以随时改.! }: e# I$ z1 q2 D. U: o
写信息;从功能上看,它又相当于RAM,可以随机读写0 d% J7 c3 D( w' D
信息而且具有很高的读写速度。/ |9 H! s9 y& U' @; J; v- p' x: h
对FlashMemory有不同的叫法,Atmel公司称这
5 i% |3 j) p7 E& g种存储器为Flash PEROM(Programmable Erasable Read
/ E, P( V0 T3 e# `7 Y+ S/ ^, y# x* j, u2 V8 @/ G' P
Only Memory),以便与通常的EPROM相区别。在国内
" D0 L8 G( S" i对其译法可谓五花八门,有不少半导体器件手册都把, U; w  @9 e, h$ v' U. M
其译成“闪烁”存储器或“闪光”存储器,也有译成“快2 F6 R8 g( X$ t
闪”或“闪速”存储器的。显然这种存储器既不会闪光
2 w  g0 X9 J, w: t6 N也不会闪烁,也不是说这种存储器是“极高速”的。从
* Z8 Q# V/ A* Z3 r0 k5 G9 _其名字的本意说,是指相对传统的EEPROM芯片,这" H: Z8 G3 @- s0 O. ?$ |* F$ V
种芯片可以用电气的方法快速地擦写。所以一般以译( h* Z! T5 n* g. q4 |
成“快擦写”存储器相对比较贴切,或者干脆就称作
8 F( X! U  J2 E- Y" ZFlash存储器。/ v  O0 u8 h6 O  M8 l
快擦写存储器不需要存储电容,故其集成度更
! i  O& p' ]# r; U高,制造成本低于DRAM。它使用方便,即具有SRAM
# O& @! j8 _* y读写的灵活性和较快的访问速度。自1988 年首次推7 z9 w8 U  r( W0 `' |# t
出商品化快擦写存储器以来,已经有多达40余家半
& I/ J6 b% D2 m/ S0 Q导体公司争相开发制造,以占领市场一席之地,其中9 N( _7 j  y$ o( L$ J+ V, G: _
又以美国的Intel、AMD和Atmel三个公司占最大份: s8 O' d3 W0 R$ {5 S+ O3 _+ ]. l6 |
额。而且Flash Memory的容量也由最初的64KB发展6 ~  u7 L% E2 u/ C
到现在的16MB~64MB,甚至已经出现了256MB的( Y9 P  n$ @" P& v% R9 \
Flash Memory。它的重写编程的次数已从最初的1005 z4 w3 b% `: e, l; j4 P- a# H
次改进到现在的100万次,甚至已有宣称达到1600
3 B5 e3 u  X6 p6 t; w. }5 M万次的。
# j" g. s6 G# a+ g2 MSP430 系列单片机
4 c3 t4 X. l6 e0 D4 r2 {0 J3 H6 [" bTI公司的MSP430系列单片机是-种超低功耗的" N: ?. E: y, V3 z
混合信号控制器,其中,包括一系列器件,它们针对不- o% g7 A& k' j- T* `1 ?
同的应用而有各种不同的模块组成。这些微控制器被! \6 f9 V7 A4 P3 g7 K8 c) W
设计为可用电池工作,而且可以有很长使用时间的应
5 O' b  j* W7 G) x5 a3 o  _% y) Q- D, l

$ C3 k$ v* S3 N2 z, @1 P' Q附件下载:
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
: f% i6 j8 v0 g% ]) m3 e
% t8 Z# `& H. a3 P- _

该用户从未签到

2#
发表于 2020-3-17 09:18 | 只看该作者
MSP430系列单片机是一种超低功耗的混合信号控制器
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-7-30 11:42 , Processed in 0.125000 second(s), 26 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表