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/ a; R; Z$ f1 s, l8 H% Y+ b当中的控制模块(驱动模块,集联模块,PWM产生模块等),在mcu的设计过程之中悬空的引脚也需要关注的是上拉或者是下拉,因为悬空的引脚会对静态电流会有相对应的影响。 磁珠
* }2 h2 _" |; Q i! M* e! E5 N | 磁珠选型时要注意冲击电流问题。常用0805和0603封装磁珠承受冲击电流建议。
- i5 Z( D( v3 z3 O多脉冲且微秒级 :10 ~ 40 倍额定电流
& o" M) g( B6 }( o. ?单脉冲 5~20uS,30~500倍额定值,如果是多脉冲降额到 30% 使用
+ Q1 I1 u ]* M) M1A 通流能力磁珠可至少承受 40A 电流 20 次 脉冲电流冲击
: D2 d8 b8 R" f6 T( G* x从可靠性角度来看如果冲击电流大于 25A 以上的应用场合 ,均需评估和分析考虑可靠性问题。$ f6 H9 H* x8 ^/ y
| 连接器
; e+ t/ }* C; @6 y9 z- s: x, t | 对于有弹性要求连接器(如网口)接插件材料一 般选用铍青铜(CuBe),镀层为金(Au)" G' S5 l6 M1 _. _ F, W; \
连接器接插件 材料一般选用黄铜或锡青铜 ,镀层一般选镀锡 Tin(Sn) 或镀金(Au)/ Y2 F8 l; o% R& T
对频繁插拔和有电流要求的连接器,镀 层选镀金(Au)的! ^. B, m+ r5 f1 \* [& \
在震动频繁的场合不建议用镀 锡Tin(Sn)的连接器
% n8 w, B2 E8 c( [超大电流的情况下可以选择镀 银(Ag)的连接器
/ L% j( t ^ P9 L! R9 T | 瞬时保护器件
+ s7 j5 o3 q- V9 K; J+ g2 ? | 瞬态保护器件(TVS 和 TSS)在选型时要考虑结电 容 Cj 对信号的影响, Q+ T, t; M# c3 r0 l8 @
| 其他器件
( Z" t/ Q5 K) C. p | 电感选型时要根据用途(电源使用、射频或高频电路),选择不同封装的产品
/ r; f+ s7 X$ b0 e拨码开关应尽量避免使 用 ,焊接时失效风险很大 ;电位器应尽量避免使用 ,焊 接时失效风险很大 光耦一般不用于高速信号(>1MHz)和模拟信号隔离( g/ O, u, e( e) {
保险丝选型时要考虑 IEC 标准和 UL 标准的区别等等
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同样对于硬件原理图之中的组成部分也缺少不了其他的元器件:磁珠,连接器,瞬时保护器件,电杆,拨码开关等等,而里面的选型同样的也和样品的可靠性有关,如果在这个环节之中元器件有着一些方面的纰漏,导致样件的功能受到了影响,那么接下来就来集中的说说元器件失效分析当中的知识点,以及在实验的过程当中到底拥有哪些方面的原因导致出现了失效,失效的机理到底是什么:机理大致如下图所编制的内容。
0 x" r4 r$ w# `$ K& z8 n6 \! ? 在实际的过程之中如果比如电阻,电容等元器件如果失效了以后,应该从哪方面的因素去考虑,而看下面所梳理的细节内容。 总结:成品的样件,可靠性最终追究的是元器件的可靠性,所以对于硬件工程师来说,在立项与参数技术的过程当中都会考虑在做项目过程元器件的功能等级这块的要求,然而对于一些MCU与集成芯片来说,国内外的产品是存在着差距的,不管是安全性亦或者是功能的方面,而后面关于元器件失效故障方面其实是可以选型以及上篇文章所讲述的DFMEA阶段可以避免,所以说如果前期方面考虑到一些因素,后面是可以避免的。 参考文献: 简谈电子元器件选型;张海峰 ,蒂森克虏伯电梯(上海)有限公司 电子元器件的失效机理和常见故障分析 ;中国科技博览 2017年32期 电子元器件失效分析及技术发展;恩云飞,罗宏伟,来 萍,元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
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