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一、原理不同
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7 s& \/ Q+ R, z' |6 C" c1、不可控器件—电力二极管:为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。3 Q; O$ \6 v7 _, _$ z; L) ?
' X+ j! \: O- o( G H9 U2、半控型器件:通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。6 F) D7 f; p- ]! j
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3、全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。
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! f0 Z# e9 t8 X! [二、特点不同* k# ?5 D$ t: }/ R
% D) {9 c3 [/ ^1 f: U1、电力二极管:单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。. [/ L) k# X: D9 _! J3 q1 b: I
3 \ f' R7 S9 J" h, W3 c8 D2、半控型器件:其伏安特性类似二极管的反向特性;晶闸管处于反向阻断状态时,只有极小的反向漏电流通过。
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3、全控型器件:输入阻抗高,驱动电路简单,需要的驱动功率小;开关速度快,工作频率高。) f; c# j8 m+ g! X! Y" P0 e
三、分类不同% A' K/ J* V8 r6 I: v! q5 P
1 z' d" i7 ~% M8 I b1 w+ p# @1、电力二极管:有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
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+ X( c& ~9 W7 a/ T! o) c/ ~2、半控型器件:主要是晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。
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! n) O2 L9 j% q5 W5 e3、全控型器件:门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极晶体管。/ ]5 p* m! v! x0 z
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