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作品名:[AD 10][2层]紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计(SN6505BDBVR+UCC21520DW)原理图和PCB源文件
) y% q9 z( G( B. ~. u; W& f! ?: q( H& G9 d0 c: Y$ `1 h
文件描述
: }2 r* O6 P4 a* c" g
$ V/ {# r8 [9 x K4 X8 t1. 作品用途:紧凑型半桥增强隔离式栅极驱动参考设计
) j/ t; U3 I0 @& U& a' k( ~& p; S; Y$ Z' X
2. 软件版本:AD 10% a8 s x3 C: K/ A8 ~
; H( u3 P8 d% h3 F, h3. 层数:2层板$ f. B! o5 G( v; |/ A
3 T4 B; y X7 H4 g0 S+ Y
4. 用到的主要芯片:SN6505BDBVR+UCC21520DW5 [: u1 A$ d+ j# t# |$ }4 r
/ z; ?, v, U! ~0 S8 z" s- O5. PCB尺寸:37.1mm*37mm( k5 K9 e0 H5 C/ y
7 c8 T, z' J8 x4 }
! {5 J0 I& y1 a# V* Y作品截图如下:3 |' N# `2 G! a5 b
' ~/ x( | u& l顶层截图:& ?: Y# e2 H. T, p' A
, J! p3 n7 d8 s" H: ^# Q4 G u! q/ `+ s( Q9 c% m
底层截图:7 K2 t& p3 B8 e" N! i
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8 c# M, O4 X5 Y/ d# W* V全层截图:9 r+ a+ k @& B
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9 {5 b+ S/ Q d叠层信息截图如下:% w b2 o; t: l9 d! c
' j( G) B3 z8 X& c) G! O4 t( z
$ j8 B& `$ D) r" f( RBOM:. P) B. U. a- I: O+ l, r
Comment(属性) | Designator(位号) | Footprint(封装) | Quantity(数量) | CGA5L3X7T2E224K160AE | C1, C2 | 1206 | 2 | 885012106018 | C3 | 0603 | 1 | C0603X104K3RACTU | C4 | 0603 | 1 | 06035A220JAT2A | C5, C6 | 0603 | 2 | GRM21BZ71E106KE15L | C7, C9 | 0805_HV | 2 | 8.850122061e+011 | C8 | 0603 | 1 | UFM15PL-TP | D1 | SOD-123FL | 1 | 1N5819HW-7-F | D2, D3 | SOD-123 | 2 | Fiducial | FID1, FID2 | Fiducial10-20 | 2 | 61300421021 | J1 | Wurth_61300421021 | 1 | TSW-102-08-G-S-RA | J2 | TSW-102-08-G-S-RA | 1 | TSW-103-08-G-S-RA | J3 | TSW-103-08-G-S-RA | 1 | CRCW0603100RFKEA | R1, R2 | 0603 | 2 | CRCW08050000Z0EA | R3, R5 | 0805_HV | 2 | RT0603BRD074K75L | R4 | 0603 | 1 | CRCW06030000Z0EA | R6, R7 | 0603 | 2 | 750342879 | T1 | WURTH_750342879 | 1 | UCC21520DW | U1 | DW0016A_N | 1 | SN6505BDBVR | U2 | DBV0006A_N | 1 |
9 c& Z/ D; x! X: B* m, g0 k3 C& r) \附件:* l6 x2 E: A: }4 G; C
7 P6 \- ^/ k# \7 S& n
原理图和PCB源文件如下:
4 q& Y) i& }9 e$ f* t. R1 \# \
0 J* ~* H4 J# v- {/ ?1 G1 v* u% u2 P% z% ~
: ^1 o; m7 ?) z2 H
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