什么是压敏电阻?
2 U) a9 |% W; Y6 @& I2 H压敏电阻
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压敏电阻是电压相关电阻(VDR)。一个的电阻变阻器是可变的并且取决于所施加的电压,这个词由“ var iable res istor ”字样的部分组成。当电压增加时,它们的电阻会降低;在电压过高的情况下,它们的电阻会急剧下降。这种行为使它们适合在电压浪涌期间保护电路。浪涌的原因可能包括雷击和静电放电,最常见的VDR类型是金属氧化物变阻器或MOV。/ l# G+ E" o7 O! H' I/ [
+ j6 M9 z9 k! N% G定义
- h3 S, A* Y& V' H y' H) L- u' ?5 T: Z压敏电阻是非线性双元件半导体,随着电压的增加会降低电阻。电压相关电阻通常用作敏感电路的浪涌抑制器。
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: {- M" B1 W( X8 a9 i* S4 j6 ~1 @9 v压敏电阻封装
以下是经常遇到的不同包的一些示例。块封装用于更高的额定功率。
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! w2 ~! ^7 {8 ^. [4 R4 y压敏电阻封装图示
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: I2 i4 U) ~3 t4 G9 P特点
* | J/ b9 [7 N5 w; \* B3 [7 @电压相关电阻器具有非线性变化电阻,取决于所施加的电压。在额定负载条件下阻抗很高,但是当超过电压阈值(击穿电压)时,阻抗会急剧下降到一个低值。它们通常用于保护电路免受过大的瞬态电压影响。当电路暴露在高压瞬态时,压敏电阻开始导通并将瞬态电压钳位到安全水平。输入浪涌的能量部分传导并部分吸收,保护电路。
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4 J \9 O! |! T2 t. m最常见的类型是MOV或金属氧化物压敏电阻。它们由氧化锌(ZnO)晶粒的烧结基质构成。晶界提供PN结半导体特性,类似于二极管结。随机取向的晶粒矩阵可以与串联和并联的大型二极管网络进行比较。当施加低电压时,仅通过结的反向泄漏引起非常小的电流流动。然而,当施加超过击穿电压的高电压时,结经历雪崩击穿并且大电流可以流动。这种行为导致非线性电流 - 电压特性。
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电流(I)到端子之间的电压(V)之间的关系通常用下式描述:
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; N& ^9 d: |9 P6 t) k术语α描述了非线性程度。图1显示了MOV(高α)和SiC压敏电阻(低α)的特性曲线。
: p: ~7 Z- g% I压敏电阻电压-电流特性
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重要的选择参数是钳位电压,峰值电流,最大脉冲能量,额定AC / DC电压和待机电流。当用于通信线路时,杂散电容也是一个重要参数。高电容可以充当高频信号的滤波器或引起串扰,从而限制通信线路的可用带宽。& Y( p' F. B: ^2 N% I0 l
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在1-1000微秒量级的高瞬态电压浪涌的情况下,压敏电阻可用于短时间保护。然而,它们不适合处理持续的浪涌。如果以焦耳(J)为单位的瞬态脉冲能量过高且明显超过绝对最大额定值,则它们会熔化,燃烧或爆炸。6 h7 g) R3 E/ N- I: ]' l
: x+ D8 |( D6 |0 s7 [+ I. ~MOV在暴露于反复浪涌时会降解。每次浪涌后,MOV的钳位电压会稍微降低,多少取决于MOV相对于脉冲的焦耳等级。随着钳位电压越来越低,当钳位电压低于受保护的线电压时,可能的故障模式是部分或完全短路。这种情况可能导致火灾。为了防止火灾,它们通常与热熔丝串联连接,在过热的情况下断开MOV。为了限制劣化,建议使用与受保护电路允许的高钳位电压,以限制浪涌的暴露量。
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应用: B8 u G8 I' f
压敏电阻的非线性特性使其成为浪涌保护装置的理想选择。高压瞬变源可以是例如雷击,静电放电或来自电动机或变压器的感应放电。它们例如经常用在电涌保护器电源板中。具有低电容的特殊类型可保护通信线路。
这些VDR适用于各种应用,包括:* F0 ^) E5 x2 |* H3 n
1、电话和其他通信线路保护
# G( l0 @- M1 g, G) L: K2、无线电通信设备瞬态抑制# C Y+ i& N' A, o& L# j
3、电涌保护器电源板
( B4 p) N' Y( Q/ ^4、有线电视系统电涌保护器3 J2 a. n( N" R5 M1 W0 j
5、电源保护) p; z: [) Z. k+ ?$ ]8 A
6、微处理器保护
7 M) r* v1 Z1 u4 l c! h* e7、电子设备保护3 P7 f. a0 }5 h! y
8、低压板级保护+ p# a2 i) O) G$ e5 x- r& i, G
9、瞬态电压浪涌抑制器(TVSS). L) i3 j6 W2 P0 r* E Q
10、汽车电子保护! ^ w7 k" U S9 a
11、工业高能交流保护
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类型
最重要的压敏电阻类型:1 h9 }9 B& q* f8 R! ]" u, Y
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1.金属氧化物压敏电阻 - 上面描述的MOV是一种由氧化锌(ZnO)组成的非线性瞬态抑制器
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2.碳化硅压敏电阻 - 这曾经是MOV进入市场之前最常见的类型。这些组件使用碳化硅(SiC)。它们已广泛用于高功率,高压应用。这些器件的缺点是它们消耗了大量的待机电流,因此需要一系列间隙来限制待机功耗。, x+ y5 N# W/ u$ Q/ Y
2 `3 T' F9 w2 D( P替代类型的浪涌抑制装置包括:8 e! r- ]* j( l
& ], q5 p; I2 } [1.硒电池 - 这些抑制器使用硒整流器,可提供高能反向击穿电流。一些硒细胞具有密封愈合特性,可以承受高能量放电。然而,它们没有现代MOV的夹紧能力。6 R: e2 v, L; q) \( a
) W6 X$ I i) Z) W7 ~* W h2.齐纳二极管 - 采用硅整流技术的瞬态抑制器件。它们具有非常恒定的电压钳位能力。这些部件的主要缺点是它们具有有限的能量耗散能力。
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& H- [9 t" ^7 f8 w; N! x3.撬棒装置 - 撬棒装置使浪涌对地短路,这种短路将持续到电流低于某一非常低的水平。创造滞后或力量跟随效果。撬棍装置的示例是:. V9 j0 j0 G/ N0 h
*气体放电管(GDT)或火花隙 - 这些器件在产生导电火花后导通,缺点是它们需要相对长的时间来触发,其优点是具有大的载流能力。2 I7 R" R. s* S, R* m% F
*晶闸管浪涌保护器件(TSPD)- 具有与GDT类似的特性,但可以更快地动作。
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* l) e$ s! b: Z2 w. ^# n2 B% B压敏电阻符号
以下是压敏电阻的符号。它被描述为可变电阻器,其取决于电压U.
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压敏电阻符号
1 K" B' l4 y" N _9 M1 yIEC标准
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