MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？

BUFSFER

引脚解析： G：gate 栅极，N沟道的电源一般接在D S：source 源极，输出S，P沟道的电源一般接在S D：drain 漏极，输出D。增强耗尽接法基本一样。

  l. s/ @  z* e( \( N. N* \

MOS管有G、S、D三个引脚，这三个引脚分别代表什么呢？
8 W7 H/ X7 @" {" O3 t$ L引脚解析：
' A  j: W, ?1 t/ J0 M) zG：gate 栅极，N沟道的电源一般接在D
S：source 源极，输出S，P沟道的电源一般接在S
  I. r; c5 Q9 e1 ?# tD：drain 漏极，输出D。增强耗尽接法基本一样。
1 o# j7 z& ~  k2 B& _; Q& Y
# c  Y3 a. \5 [7 m4 \4 C

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
9 V6 h( [( b( \) O: B7 B( z. c9 m场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

1 A; W/ r  V5 v  j& ^
MOS管是有很多种类，也有很多作用，无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

1 s$ R- P. W* }& Z1 j+ C8 e- i

/ x% y4 t( g/ z; l, K% p

sisisisisisiwww

FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。