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STM32的GPIO工作原理(附电路图详细分析)

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    发表于 2019-12-31 17:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    STM32的GPIO介绍. h$ [+ K0 X. s: ~
    STM32引脚说明GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚。GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。0 t# z; d5 x. J( M! o0 K% O. _

    + L% u& u' S( T6 J$ I0 |$ x& V5 TSTM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA、GPIOB、GPIOC、GPIOD、GPIOE、GPIOF、GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口。通常简略称为PAx、PBx、PCx、PDx、PEx、PFx、PGx,其中x为0-15。
    & c5 v2 ~8 V1 ^" |: J7 @% VSTM32的大部分引脚除了当GPIO使用之外,还可以复用位外设功能引脚(比如串口),这部分在【STM32】STM32端口复用和重映射(AFIO辅助功能时钟) 中有详细的介绍。* m. [- }2 B+ P6 o! l5 b8 _
    GPIO基本结构每个GPIO内部都有这样的一个电路结构,这个结构在本文下面会具体介绍。
    这边的电路图稍微提一下:
    2 l5 N- a# M0 F$ |) k( m保护二极管:IO引脚上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
    3 k9 F+ I! E/ h" Z5 CP-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。( v( W8 ?! N) N1 k
    TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟信号转化为0和1的数字信号。但是,当GPIO引脚作为ADC采集电压的输入通道时,用其“模拟输入”功能,此时信号不再经过触发器进行TTL电平转换。ADC外设要采集到的原始的模拟信号。& n# w- {& }1 C3 z
    这里需要注意的是,在查看《STM32中文参考手册V10》中的GPIO的表格时,会看到有“FT”一列,这代表着这个GPIO口时兼容3.3V和5V的;如果没有标注“FT”,就代表着不兼容5V。+ B6 h% X; G" j& I9 f! r5 x: A
    STM32的GPIO工作方式GPIO支持4种输入模式(浮空输入、上拉输入、下拉输入、模拟输入)和4种输出模式(开漏输出、开漏复用输出、推挽输出、推挽复用输出)。同时,GPIO还支持三种最大翻转速度(2MHz、10MHz、50MHz)。
    * a( ~) S5 x$ F! D* w每个I/O口可以自由编程,但I/O口寄存器必须按32位字被访问。( O# ?( P: f. S
    GPIO_Mode_AIN 模拟输入GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入GPIO_Mode_IPD 下拉输入GPIO_Mode_IPU 上拉输入GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出下面将具体介绍GPIO的这八种工作方式:
    8 F7 Z/ C# u) e* R浮空输入模式
    浮空输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。也就是说,I/O的电平状态是不确定的,完全由外部输入决定;如果在该引脚悬空(在无信号输入)的情况下,读取该端口的电平是不确定的。+ ?/ W+ {+ s/ {: q2 W7 g

    2 `& B# q: W. U( M+ A) }上拉输入模式
    上拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在高电平;并且在I/O端口输入为低电平的时候,输入端的电平也还是低电平。
    6 e$ K5 y) r, M: v& B1 J6 y$ ~2 [
    * c5 f1 W. N5 y: m2 \1 i7 @# @8 R
    下拉输入模式
    下拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在低电平;并且在I/O端口输入为高电平的时候,输入端的电平也还是高电平。' K" q) \# p/ V9 J# d

    ; }: z" ~3 w$ @0 \4 Z模拟输入模式
    模拟输入模式下,I/O端口的模拟信号(电压信号,而非电平信号)直接模拟输入到片上外设模块,比如ADC模块等等。
    5 V; y4 W* ~) }. z7 d/ `

    , ~# J$ d& l& T, c3 T) Y开漏输出模式
    开漏输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就不会由输出的高低电平决定,而是由I/O端口外部的上拉或者下拉决定;当设置输出的值为低电平的时候,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就是低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,I/O端口的电平不一定是输出的电平。
    6 z% L: I4 t! p+ W/ f/ s' ^& ~

    9 Y" i$ l! ?4 V/ T开漏复用输出模式
    开漏复用输出模式,与开漏输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。1 k5 j3 `4 i! Q4 w6 ?
    推挽输出模式
    推挽输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经P-MOS管和N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意P-MOS管和N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,P-MOS管处于开启状态,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就由P-MOS管决定:高电平;当设置输出的值为低电平的时候,P-MOS管处于关闭状态,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就由N-MOS管决定:低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,此时I/O端口的电平一定是输出的电平。$ N4 M' h$ Y' L! u4 ]: r
    * q2 i: K# N6 Y  {: I$ M
    推挽复用输出模式
    推挽复用输出模式,与推挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。. [. d5 Q& a8 N, o9 L
    8 n" L# N" E( y( t5 Q4 m4 s
    总结与分析
    , u! ?1 p- u& |, {9 f) K1、什么是推挽结构和推挽电路?推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。+ ^9 q. ?2 q& L! S* O; n
    推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。: P5 @, ^; N$ d8 E. }
    2、开漏输出和推挽输出的区别?开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内);推挽输出:可以输出强高、低电平,连接数字器件。关于推挽输出和开漏输出,最后用一幅最简单的图形来概括:
    该图中左边的便是推挽输出模式,其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止,而上面NPN三极管导通,输出电平VS+;当比较器输出低电平时则恰恰相反,PNP三极管导通,输出和地相连,为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式,需要接上拉。
    4 o5 M( c# W* h" w6 S- s3、在STM32中选用怎样选择I/O模式?浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入,可以做KEY识别,RX1带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入,或者低功耗下省电开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,需要外接上拉电阻,才能实现输出高电平。当输出为1时,IO口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式,这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化,实现C51的IO双向功能推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND, IO输出1 -接VCC,读输入值是未知的复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能(I2C的SCL、SDA)复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能(TX1、MOSI、MISO.SCK.SS)" Z/ E' n* |- _& s+ V& `6 \7 G

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    发表于 2019-12-31 18:55 | 只看该作者
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